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龙图腾网获悉中国科学院生态环境研究中心申请的专利一种薄膜层刻蚀速率的测定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116429806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310154848.9，技术领域涉及：G01N23/2206；该发明授权一种薄膜层刻蚀速率的测定方法是由任文强设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜层刻蚀速率的测定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜层刻蚀速率的测定方法，具体包括以下步骤：1在已知成分的支撑层基底上附着一个或多个涂层形成一个薄膜；2准确得到每个涂层的厚度值和特征元素；3获得最表层元素的组成及化学态信息；4对膜进行清洁刻蚀；5记录刻蚀时间、刻蚀面积、刻蚀模式和刻蚀能量；6建立X射线光电子能谱仪氩离子溅射源对薄膜相应涂层的刻蚀速率函数关系。本发明主要利用氩离子束轰击薄膜层表面，然后通过X射线光电子能谱仪XPS和函数关系的计算，可以在薄膜层中获取指定深度的元素组成及化学态信息，并建立X射线光电子能谱仪氩离子溅射源对薄膜相应涂层的刻蚀速率函数关系。

本发明授权一种薄膜层刻蚀速率的测定方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜层刻蚀速率的测定方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 1在已知成分的支撑层基底上附着一个或多个涂层形成一个薄膜，明确膜的孔径、涂层数、每个涂层的成分和主要用途，并找出每个涂层的特征元素； 2通过场发射扫描电子显微镜对膜断面进行观察测定，准确得到每个涂层的厚度值；通过场发射扫描电子显微镜附属的能谱仪对膜断面进行面分布扫描分析，明确得到每个涂层的特征元素； 3采用X射线光电子能谱仪对膜进行分析，获得最表层元素的组成及化学态信息，作为参考数据； 4设定刻蚀程序，确定氩离子源的刻蚀面积、刻蚀模式和刻蚀能量，开启氩离子枪对膜进行清洁刻蚀； 所述刻蚀面积为X射线光电子能谱仪选定采集谱图区域的2～3倍； 所述刻蚀模式为单原子离子枪模式； 所述刻蚀能量为500～4000ev； 5不同时间刻蚀后，采用X射线光电子能谱仪进行谱图采集，当两组数据结果出现不同元素特征峰时，记录刻蚀时间、刻蚀面积、刻蚀模式和刻蚀能量； 6通过膜的确定厚度和记录的刻蚀参数，建立X射线光电子能谱仪氩离子溅射源对薄膜相应涂层的刻蚀速率函数关系。

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