星科金朋私人有限公司李建赫获国家专利权
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龙图腾网获悉星科金朋私人有限公司申请的专利使用带附接的半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211691350.8，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权使用带附接的半导体器件和方法是由李建赫;孙相贤;张有晶;李炫宜设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用带附接的半导体器件和方法在说明书摘要公布了：公开了使用带附接的半导体器件和方法。一种半导体器件具有第一半导体封装，第一半导体封装包括衬底和沉积在衬底上的包封物。粘接带被部署在包封物上。通过如下来形成导电通孔：通过粘接带和包封物进行沟槽切割以暴露衬底。将第二半导体封装与第一半导体封装相对地部署在粘接带上。第一半导体封装和第二半导体封装被通过粘接带接合在一起。
本发明授权使用带附接的半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供第一半导体封装，包括， 衬底， 安装在衬底的底表面上的分立组件，和 沉积在衬底的顶表面上的包封物； 在包封物上部署粘接带，其中粘接带包括， 聚酰亚胺膜， 涂覆到聚酰亚胺膜的顶表面和底表面上的粘接剂，和 部署在聚酰亚胺膜的顶表面上的封面带，其中粘接带被部署为聚酰亚胺膜的底表面在包封物上； 通过如下来形成通孔：通过粘接带和包封物进行沟槽切割以暴露衬底的接触焊盘，其中沟槽切割在粘接带的聚酰亚胺膜和封面带这两者中形成开口，并且其中通孔在接触焊盘上面通过包封物的整个厚度保持没有导电材料； 通过在沟槽切割之后将导电材料沉积到通孔中来形成导电通孔，其中导电通孔完全填充包括粘接带中的开口的通孔； 在通过从聚酰亚胺膜剥离封面带而形成导电通孔之后移除封面带，其中通过封面带的通孔的一部分与封面带一起被移除； 将焊料膏部署在导电通孔上，其中利用喷嘴印刷焊料膏；以及 在形成完全填充粘接带中的开口的导电通孔之后以及将焊料膏部署在导电通孔上之后，将第二半导体封装与第一半导体封装相对地部署在粘接带上，其中第一半导体封装和第二半导体封装被通过粘接带接合在一起。
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