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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利TEM样品的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116660299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210154880.2，技术领域涉及：G01N23/2202；该发明授权TEM样品的制备方法是由陈强;陈柳;高金德设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本TEM样品的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：步骤一、提供在第一表面上形成有金属保护层的芯片样品。步骤二、将芯片样品固定在FIB系统的样品台上。步骤三、沿第一方向对金属保护层进行第一次FIB切割形成一个凹槽；第一方向为TEM样品的宽度方向，第二方向和第一方向垂直的方向；凹槽沿第一方向延伸。在沿第二方向的剖面上，凹槽的内侧表面呈弧形使凹槽区域的金属保护层的厚度逐渐变化。步骤四、沿第三方向进行第二次FIB切割对芯片样品进行减薄并形成TEM样品，第三方向由金属保护层指向芯片样品，利用金属保护层的厚度调节切割速率并从而使TEM样品的宽度逐渐变化并获取最佳观测区。本发明能实现对TEM样品的厚度精确控制，从而提高TEM分析质量。

本发明授权TEM样品的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供形成有金属保护层的芯片样品，所述金属保护层形成于所述芯片样品的第一表面； 步骤二、将所述芯片样品固定在FIB系统的样品台上； 步骤三、采用FIB对所述金属保护层进行第一次FIB切割形成一个凹槽；第一方向为后续形成的TEM样品的宽度方向，第二方向为在所述第一表面内和所述第一方向垂直的方向； 所述第一次FIB切割的方向为所述第一方向，所述凹槽沿所述第一方向延伸； 在沿所述第二方向的剖面上，所述凹槽的内侧表面呈弧形； 在沿所述第二方向上，所述凹槽位于所述TEM样品的形成区域中，所述凹槽的内侧表面各位置处的所述金属保护层的厚度逐渐变化； 步骤四、采用FIB对所述芯片样品进行第二次FIB切割，所述第二次FIB切割对所述芯片样品进行减薄并形成所述TEM样品； 所述第二次FIB切割的方向为第三方向，所述第三方向为由所述金属保护层指向所述芯片样品的方向；在所述第二次FIB切割中，利用所述金属保护层的厚度调节对应位置处的切割速率并从而调节所述TEM样品的宽度；所述金属保护层的厚度越厚所述第二次FIB切割的切割速率越慢，所述金属保护层的厚度越薄所述第二次FIB切割的切割速率越快；在所述凹槽形成区域，利用所述金属保护层的厚度逐渐变化的特点使所述TEM样品的宽度逐渐变化，在所述TEM样品的逐渐变化的宽度中获取最佳观测区用于TEM分析，所述最佳观测区两侧分别为过厚区和过薄区。

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