爱思开矽得荣株式会社金祐泰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开矽得荣株式会社申请的专利用于生长单晶硅锭的方法以及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116685722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107486.2，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权用于生长单晶硅锭的方法以及设备是由金祐泰设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生长单晶硅锭的方法以及设备在说明书摘要公布了：一实施方式提供了生长单晶硅锭的方法，所述方法包括如下步骤：a将多晶硅注入腔室内的坩埚中；b使坩埚中的多晶硅熔化以形成硅熔体；c测量多晶硅的熔化程度；和d在预定部分多晶硅已经熔化之后，增加供应到腔室的惰性气体的供应量，并降低腔室内的压力。
本发明授权用于生长单晶硅锭的方法以及设备在权利要求书中公布了：1.一种生长单晶硅锭的方法，所述方法包括如下步骤： a在腔室内的坩埚中填装多晶硅； b使坩埚中的多晶硅熔化，由此形成硅熔体； c测量硅熔体表面不同部分处的温度，并确定是否已有预定部分的多晶硅发生熔化；和 d在预定部分多晶硅已经熔化时，增加供应到腔室的惰性气体的供应量，同时降低腔室的内部压力， 其中，基于硅熔体低温表面的面积是否等于或小于预定值来进行确定。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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