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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116826517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310711994.7，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法是由张立宇;苏辉;林中晞;钟杏丽;陈辉;李雄设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极，外延柱体设置于基底之上，外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区；环形沟槽内部填充有填充层；所述电极包括P面电极、N面电极与相连电极；所述P面电极设置于“孤岛”波导区上方，并与环形沟槽及其内部填充的填充层呈同心圆环；所述N面电极设置于基底上方并毗邻于外延柱体；所述相连电极与外延柱体通过钝化层隔离，并在钝化层开窗处与P面电极形成电连接；P面电极与环形沟槽、氧化孔的圆心重合。本发明的激光器芯片能够通过简单的工艺制备可靠性高、寄生电容低、传输速率高的垂直腔面发射激光器芯片。

本发明授权垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光器芯片，其特征在于，所述激光器芯片包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极，外延柱体设置于基底之上，外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区；环形沟槽内部填充有填充层； 所述电极包括P面电极、N面电极与相连电极；所述P面电极设置于“孤岛”波导区上方，并与环形沟槽及其内部填充的填充层呈同心圆环；所述N面电极设置于基底上方并毗邻于外延柱体；所述相连电极与外延柱体通过钝化层隔离，并在钝化层开窗处与P面电极形成电连接；P面电极与环形沟槽、氧化孔的圆心重合； 所述外延柱体的外延结构是由MOCVD从基底上方层叠N型欧姆接触层、N-DBR层、有源区、氧化限制层、P-DBR层和P型欧姆接触层形成外延片，然后由电感等离子体刻蚀设备刻蚀形成； 所述激光器芯片在外延柱体表面刻蚀环形沟槽以形成被所述环形沟槽环绕的“孤岛”波导区，而后由填充层将环形沟槽填充； 所述环形沟槽由ICP刻蚀工艺形成，并通过原子发射光谱仪或光电极值监控仪控制其刻蚀深度，刻蚀深度为从P型欧姆接触层刻蚀至穿过有源区后停止； 所述环形沟槽的内径为20-25μm，环形沟槽的宽度为15-20μm； 所述填充层用于保护氧化限制层与“孤岛”波导区，其材料为SiO2、SiNx、SiON、聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯中的一种、两种或多种； 所述相连电极与P面电极连接并跨越环形沟槽延伸至外延柱体上方。

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