扬州大学陈海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116840953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310458949.5，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器是由陈海涛;刘霄羽;钱沁宇;王钦华设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器，在透明衬底上设有纳米方孔阵列，每个纳米方孔由衬底向上高度均为h的五个方形环构成，材料依次为氟化镁、硅、铬、砷化镓、铝；每个纳米方孔内嵌入纳米方柱，纳米方柱由衬底向上高度均为h的四个方形柱构成，四个方形柱的材料依次为硅、铬、砷化镓、铝。该吸收器中在420nm至3500nm的波段范围内，实现理论值0.922的平均吸收率，在570nm处可实现0.999的完美吸收。该吸收器与传统的吸收器相比，是实现大面积超薄超表面吸收器的有效途径，具有宽频带、高吸收的优点，且其结构相对简单，与当前的纳米加工技术如沉积和光刻兼容，易于制造，成本较低。
本发明授权一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器，其特征在于，包括：透明衬底，在所述衬底上设有纳米方孔阵列，每个纳米方孔由所述衬底向上高度均为h的五个方形环构成，所述五个方形环的材料依次为氟化镁、硅、铬、砷化镓、铝；每个纳米方孔内嵌入纳米方柱，所述纳米方柱由所述衬底向上高度均为h的四个方形柱构成，所述四个方形柱的材料依次为硅、铬、砷化镓、铝；所述纳米方孔阵列的周期p=214nm，所述纳米方孔的内方边长a=119nm，h=107nm。
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