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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种带控制端的低温漂电压基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116954299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311065336.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带控制端的低温漂电压基准电路是由杨曼琳;严纲;吴昊;王妍;叶雅倩;杨潇雨;姜俊逸;赵之昱;廖轰设计研发完成，并于2023-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带控制端的低温漂电压基准电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种带控制端的低温漂电压基准电路，包括：开启模块，用于辅助电路的开启，并在所述电路达到平衡态时停止作用；偏置模块，用于提供自偏置电流以及偏置电压；带隙核模块，用于基于所述偏置电压产生基准电压，并基于所述基准电压产生与绝对温度正相关的温度系数控制电压；曲率补偿模块，用于基于电流镜的方式对所述自偏置电流进行拷贝，以根据所述自偏置电流和所述温度系数控制电压生成补偿电流，并通过控制端控制所述补偿电流接入所述带隙核模块对所述基准电压进行温漂补偿。本申请的电路可做成通用模块，集成于对基准温度系数要求不同的ADDA转换器中。

本发明授权一种带控制端的低温漂电压基准电路在权利要求书中公布了：1.一种带控制端的低温漂电压基准电路，其特征在于，包括： 开启模块，用于辅助电路的开启，并在所述电路达到平衡态时停止作用； 偏置模块，用于提供自偏置电流以及偏置电压； 带隙核模块，用于基于所述偏置电压产生基准电压，并基于所述基准电压产生与绝对温度正相关的温度系数控制电压； 曲率补偿模块，用于基于电流镜的方式对所述自偏置电流进行拷贝，以根据所述自偏置电流和所述温度系数控制电压生成补偿电流，并通过控制端控制所述补偿电流接入所述带隙核模块对所述基准电压进行温漂补偿； 所述曲率补偿模块包括：第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第十PMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第八电阻、第九电阻、第十电阻和反相器； 所述第五PMOS晶体管的源极和所述第六PMOS晶体管的源极接电源电压，所述第五PMOS晶体管的栅极与所述第六PMOS晶体管的栅极连接并连接所述偏置模块的第三输出端；所述第五PMOS晶体管的漏极分别接所述第七PMOS晶体管的源极和所述第八PMOS晶体管的源极，所述第七PMOS晶体管的栅极分别接所述第八电阻的一端和所述第九电阻的一端，所述第八电阻的另一端接所述带隙核模块的基准电压输出端，所述第九电阻的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端接地，所述第七PMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接，所述第八PMOS晶体管的栅极接所述带隙核模块的温度系数控制电压输出端，所述第八PMOS晶体管的漏极接地，所述第六PMOS晶体管的漏极分别接所述第九PMOS晶体管源极和第十PMOS晶体管的源极，所述第九电阻和所述第十电阻的连接端接所述第九PMOS晶体管的栅极，所述第九PMOS晶体管的漏极接地，所述第十PMOS晶体管的栅极与所述第八PMOS晶体管的栅极连接，所述第十PMOS晶体管的漏极接所述第二NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极接所述反相器的输出端，所述反相器的输入端作为所述控制端，所述第二NMOS晶体管的源极作为所述曲率补偿模块的输出端，以输出补偿电流。

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