纳米系统公司R·唐吉雷拉获国家专利权
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龙图腾网获悉纳米系统公司申请的专利包含亮银基四元纳米结构的膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116981754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180094404.X，技术领域涉及：C09K11/62；该发明授权包含亮银基四元纳米结构的膜是由R·唐吉雷拉;J·雅马纳卡;W·郭;C·桑德兰德;A·D·马努埃;C·王;E·黄;N·金设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含亮银基四元纳米结构的膜在说明书摘要公布了：公开了包含Ag、In、Ga和SAIGS纳米结构和与所述纳米结构结合的至少一种配体的膜。在一些实施方式中，AIGS纳米结构具有大于32％的光子转换效率和480‑545nm的峰值波长发射。在一些实施方式中，所述纳米结构具有FWHM为24‑38nm的发射光谱。
本发明授权包含亮银基四元纳米结构的膜在权利要求书中公布了：1.膜，所述膜包含Ag-In-Ga-SAIGS纳米结构、至少一种配体，其中所述至少一种配体涂覆所述AIGS纳米结构表面，并且当使用波长450nm的蓝光源激发时，在480-545nm的峰值发射波长下表现出大于32％的光子转换效率PCE，其中所述膜进一步包含至少一种有机树脂，并且所述至少一种有机树脂是固化的， 其中满足1和2的至少一个： 1所述AIGS纳米结构是通过包括以下的方法制备的：通过使AIGS核与氯化镓反应而与镓进行离子交换， 2所述AIGS纳米结构包含从所述纳米结构的表面增加的镓到在所述纳米结构的中心减少的镓的梯度， 其中所述纳米结构具有半峰全宽FWHM小于40nm的发射光谱， 其中所述纳米结构具有80-99.9％的量子产率QY， 其中所述纳米结构具有大于或等于0.8的OD450质量mLmg-1cm-1， 其中所述发射的至少80％是带边发射，和 其中所述至少一种配体是多氨基配体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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