华北电力大学(保定)赵小军获国家专利权
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龙图腾网获悉华北电力大学(保定)申请的专利软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117198433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311068885.4,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备是由赵小军;武欣怡;王浩名设计研发完成,并于2023-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备在说明书摘要公布了:本发明涉及软磁材料技术领域,提供一种软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备,包括:获取软磁材料的物理参数和软磁材料所在磁场的磁场参数;将物理参数和磁场参数输入动态磁滞模型,得到静态磁滞损耗对应的磁场强度的预测值,在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度的预测值和异常损耗对应的磁场强度的预测值;动态磁滞模型基于Preisach模型预测静态磁滞损耗对应的磁场强度,基于构建的麦克斯韦方程组预测在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度,基于磁畴理论预测异常损耗对应的磁场强度。本发明用以解决现有技术中因未推导得到考虑趋肤效应的涡流损耗对应磁场强度公式,所造成不能同时实现高频条件下材料磁滞和损耗特性的精确模拟的缺陷。
本发明授权软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种软磁材料的高频磁滞特性预测方法,其特征在于,包括: 获取软磁材料的物理参数和所述软磁材料所在磁场的磁场参数; 将所述物理参数和所述磁场参数输入动态磁滞模型,由所述动态磁滞模型输出所述软磁材料的静态磁滞损耗对应的磁场强度的预测值,在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度的预测值,以及异常损耗对应的磁场强度的预测值; 其中,所述动态磁滞模型基于Preisach模型预测所述静态磁滞损耗对应的磁场强度,基于构建的麦克斯韦方程组预测在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度,基于磁畴理论预测所述异常损耗对应的磁场强度; 所述物理参数包括:电导率σ和厚度d;所述磁场参数包括:在所述软磁材料外部施加的交变磁场的磁场强度Hat和所述软磁材料的平均磁场强度Ht; 所述动态磁滞模型构建的所述麦克斯韦方程组为: 所述动态磁滞模型基于预设第二公式,预测在所述高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度Hclt; 所述预设第二公式为: Hclt=Hat-Ht; 所述方法还包括: 在所述软磁材料处于非饱和磁化状态时,由所述动态磁滞模型输出所述软磁材料在非饱和磁化状态下的涡流损耗对应磁场强度的预测值; 其中,所述动态磁滞模型基于所述软磁材料在所述非饱和磁化状态下的线性B-H关系,通过预设第三公式,预测所述软磁材料在非饱和磁化状态下的涡流损耗对应磁场强度; 所述预设第三公式为: 其中, 其中,Hm是磁场强度幅值;Bm是磁通密度幅值;K是趋肤系数;ζ是与趋肤深度δd有关的初始相位角;ω是角频率;t是时间;α是滞后角。
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