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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117226612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311434679.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法是由闫宝华;李法健设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法，属于半导体器件加工技术领域。将减薄后的晶片先放入去屑装置，去屑装置包括微孔盘和旋转盘，去屑时，将晶片吸附在微孔盘上，然后使晶片接触旋转盘下侧的锥形软塑，微孔盘与旋转盘的间隙内注入碳酸钠溶液，旋转盘转动，利用锥形软塑刮除晶片表面碎屑，然后对晶片进一步清洗，本发明能够在研磨减薄后快速有效去除衬底表面粘附的碎屑，增加衬底与蒸镀金属的粘附性，工艺简单，操作方便，效率高，广泛适用于适GaAs砷化镓基、硅基及其它制备LED衬底的晶片。

本发明授权一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法，其特征在于，步骤如下： 步骤1：加热台和上蜡机升温至设定温度； 步骤2：将陶瓷盘放在加热台上进行预热，陶瓷盘标线朝上，待显示温度达到设定温度时，将蜡均匀涂在陶瓷盘各对应位置上； 步骤3：将晶片依次贴在陶瓷盘上； 步骤4：贴片完成后，把陶瓷盘放到上蜡机上，在陶瓷盘上放置无尘纸，覆盖所有晶片； 步骤5：晶片在上蜡机上开始压片，压片时间4-7min,完成后开始冷却，温度低于30℃后取下陶瓷盘； 步骤6：剥离无尘纸，使用乙醇和无尘纸擦拭晶片表面，去除晶片表面残蜡； 步骤7：利用研磨设备对晶片的衬底面进行研磨，减薄厚度为120um； 步骤8：将减薄的晶片放在去屑装置上，利用去屑装置去除晶片表面碎屑； 去屑装置包括微孔盘和旋转盘，微孔盘内设置有若干贯穿通孔，通孔外接真空泵，微孔盘下侧通过电动伸缩杆支撑于平面，微孔盘上方设置有旋转盘，旋转盘下侧设置有若干锥形软塑，旋转盘上侧连接有旋转马达； 去屑装置工作方法为，真空泵启动，然后将晶片吸附在微孔盘上，电动伸缩杆伸长，使晶片接触锥形软塑，然后向微孔盘与旋转盘的间隙内注入碳酸钠溶液，旋转马达启动，带动旋转盘转动，利用锥形软塑刮除晶片表面碎屑； 步骤9：将去屑后的晶片放在加热台上，待显示温度达到设定温度，且蜡熔化后，用刀片沿晶片边缘轻轻伸入到晶片下方，将晶片沿边缘向上撬起，并用镊子夹取放入晶片盒中，然后将晶片盒传送至清洗工位； 步骤10：将晶片从晶片盒中取出，依次放入第一去蜡液烧杯和第二去蜡液烧杯中清洗； 步骤11：将去蜡后的晶片放入丙酮化药槽中； 步骤12：将晶片从丙酮化药槽中取出，进行乙醇清洗； 步骤13：乙醇清洗完毕后，将晶片放入热氮烘干机中烘干； 步骤14：烘干后的晶片进行N面金属蒸镀，蒸镀金属为NiAuGeNiAu叠层金属。

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