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杭州盾源聚芯半导体科技有限公司曾西获国家专利权

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龙图腾网获悉杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅电极的金相显示方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117309859B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311232154.9,技术领域涉及:G01N21/84;该发明授权一种碳化硅电极的金相显示方法是由曾西;曹锐;王少凡;祝建敏;刘志彪设计研发完成,并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅电极的金相显示方法在说明书摘要公布了:本发明涉及碳化硅电极技术领域,具体涉及一种碳化硅电极的金相显示方法,包括如下步骤:S1、提供碳化硅电极,沿碳化硅的径向从碳化硅电极上切割得到一段样品,所述样品的两端为切割面,且所述切割面垂直于碳化硅电极;S2、采用金相冷镶制样方式将样品固化;S3、以样品的其中一个切割面作为处理面,并对处理面依次进行粗磨、精磨、镜面抛光处理;S4、对经步骤S3打磨、抛光处理后的处理面进行腐蚀处理,形成金相显示面。通过本方案提供的方法对样品进行处理,便可形成在样品上形成金相显示面,后续配合金相显微镜,便可观察得到样品截面的组织结构。

本发明授权一种碳化硅电极的金相显示方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅电极的金相显示方法,其特征在于,所述碳化硅电极呈圆环状,在其内圈周壁底部径向向内凸起形成一圈内环,内环和碳化硅电极的内圈周壁之间为斜壁;所述方法包括如下步骤: S1、提供碳化硅电极,采用水切割方式沿碳化硅电极径向进行切割得到样品,其中水切割的水射流平行于碳化硅电极的轴向,切割面垂直于碳化硅电极; S2、采用金相冷镶制样方式将样品固化,其中采用环氧树脂对样品进行固化; S3、以样品的其中一个切割面作为处理面,采用自动研磨机并对处理面依次进行粗磨、精磨、镜面抛光处理: 粗磨:选用金刚石研磨盘进行粗磨,夹持盘的转速为150rmin,金刚石研磨盘的转速为300rmin;夹持盘和研磨盘的转动方向相同,所述粗磨的时长为2min-3min; 精磨:选用复合盘进行精磨,夹持盘的转速为50rmin,研磨盘的转速为200rmin,夹持盘和研磨盘的转动方向相同,精磨的时长为10min-15min; 镜面抛光:采用多孔氯丁橡胶抛光布作为研磨盘进行镜面抛光;其中,夹持盘的转速为50rmin,研磨盘的转速为150rmin,所述研磨盘和夹持盘的转动方向相反; S4、对经步骤S3打磨、抛光处理后的处理面进行腐蚀处理,形成金相显示面,在步骤S4中,采用氢氧化钠与过氧化氢混合液进行腐蚀;腐蚀时长为45min-60min,温度为45℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州盾源聚芯半导体科技有限公司,其通讯地址为:310051 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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