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龙图腾网获悉河南东微电子材料有限公司申请的专利一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117431510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311325482.3，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法是由居炎鹏;李心然;王永超;赵泽良;王伟涛;卢俊男;王留土;范振清;冯越;段于奇;王永康;李洋洋;杨志刚;陈渊博;张亚萌设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，包括称取中间合金粉高能球磨活化、镀钴处理、真空预热压、热等静压热压烧结、背板焊接等步骤。该方法能够很好地制备出高致密的符合磁旋存储用的钴铁硼靶材，在较低温度下成型且提高了钴铁硼靶材的透磁率PTF；并且真空预热压过程中增加的粉料排气过程能够有效地防止内裂纹产生，整体有效降低了真空热压温度、降低了经济成本。

本发明授权一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： 1称取纯度为4N的Fe-B合金粉用高能球磨机进行活化处理后并用无水乙醇清洗、烘干得到活性粉A； 2将活性粉A分散在含有镀液的恒温水浴槽中镀钴处理，再经无水乙醇清洗烘干得到钴包覆合金粉B； 3将钴包覆合金粉B装入钼坩埚中，进行真空预热压后得到靶坯；所述真空预热压过程中包括粉料排气过程；其中，真空预热压过程中的粉料排气过程，具体包括以下步骤：前期缓慢升温、升压，具体为以1～5℃min的升温速率、0.05～0.2MPamin的升压速率升至300～450℃，10MPa时，保持10～30min，再泄压至零，停顿30～80s；再以0.1～0.3MPamin的升压速率升至20MPa，保持10～30min，再泄压至零，停顿30～80s；继续以5～8℃min的升温速率升温至750～900℃，同时以0.1～0.3MPamin升压速率加压至30～35MPa，保温50～90min； 4将靶坯通过热等静压机进行气氛保护来进一步热压致密化处理，得到致密的靶材； 5将致密的靶材加工成圆片，并与背板焊接成整体钴铁硼靶材。

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