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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311234218.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法是由孟磊;翟天瑞设计研发完成，并于2023-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法。该薄膜是具有宽禁带、高激光损伤阈值和高二阶非线性极化率的a轴取向Li掺杂Zn1‑xMgxO[0.3x≤0.56且0LiZn+Mg+Li≤0.09]薄膜，可在具有4.5eV禁带宽度的同时，具有高χ2和高激光损伤阈值。该制备方法包括：在R面Al2O3衬底上，通过射频磁控共溅射Mg掺杂ZnO陶瓷靶和Li掺杂ZnO陶瓷靶，外延生长a轴取向Li掺杂Zn1‑xMgxO薄膜；其晶向平行于Al2O3的晶向。本发明制得的Li掺杂Zn1‑xMgxO薄膜可应用于倍频器、电光调制器和光开关等光子器件，在集成光子学和非线性光学等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.宽禁带高激光损伤阈值二阶非线性光学薄膜，其特征在于，该薄膜是一种a轴取向Li掺杂Zn1-xMgxO薄膜；该薄膜的制备方法包括： 步骤A：制作调控薄膜禁带宽度和Li掺杂浓度的双陶瓷靶； 步骤B：清洗R面Al2O3衬底； 步骤C：射频磁控共溅射法生长a轴取向Li掺杂Zn1-xMgxO薄膜； 步骤D：热处理a轴取向Li掺杂Zn1-xMgxO薄膜； 所述a轴取向Li掺杂Zn1-xMgxO薄膜的组分为：0.3x≤0.56，0LiZn+Mg+Li≤0.09； 所述步骤A包括：按照组分比例称重原材料制作Mg掺杂ZnO陶瓷靶和Li掺杂ZnO陶瓷靶； 所述步骤C包括：所述射频磁控共溅射技术的工艺参数包括：当背景真空减小到7.4×10-7Torr以下时，向生长室中通入O2和Ar的混合气体，ArAr+O2气体比例为50％-75％，流量范围在5-10sccm之间，衬底温度范围为200-300℃，气压范围在2-5mTorr之间，Mg掺杂ZnO陶瓷靶的射频功率范围在100-150W之间，Li掺杂ZnO陶瓷靶的射频功率范围在50-100W之间，靶材到样品之间距离范围为100-150mm，衬底转速范围为20rpm。

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