中国科学院上海微系统与信息技术研究所武爱民获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种异质集成光学芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117538982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311426491.1，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种异质集成光学芯片是由武爱民;龚乾红设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质集成光学芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种异质集成光学芯片，所述芯片分为上下两层光子集成回路，通过倏逝波耦合的方法实现光在两层光子集成回路中传输耦合，光通过由三层波导组成的倏逝波耦合器保证光可以从第一层波导耦合到第三层波导再耦合到第二层波导；其中第一层波导构成第一层光子集成回路，第二层和第三层波导构成第二层光子集成回路。本发明通过结合不同介质层波导的优势，可并实现收发一体光集成芯片并提高光芯片性能，满足下一代产品的需求。
本发明授权一种异质集成光学芯片在权利要求书中公布了：1.一种异质集成光学芯片，其特征在于：所述芯片分为上下两层光子集成回路，通过倏逝波耦合的方法实现光在两层光子集成回路中传输耦合，光通过由三层波导组成的倏逝波耦合器保证光可以从第一层波导耦合到第三层波导再耦合到第二层波导；其中第一层波导构成第一层光子集成回路，第二层和第三层波导构成第二层光子集成回路；所述第一层波导和第三层波导组成第一倏逝波耦合器，第二层波导和第三层波导组成第二倏逝波耦合器； 所述芯片通过先制作两张不同介质材料的光子集成芯片，通过键合的方法结合，再移除上层光子集成芯片的衬底的方式实现；在上层光子集成芯片的第一倏逝波耦合器和第二倏逝波耦合器以及第一倏逝波耦合器和第二倏逝波耦合器之间预留第三层波导待加工区域，在键合之后再进行耦合区域第三层波导的微加工实现高精度对准；在键合之后测量晶圆中每个最小单元区域的对准误差，再根据测量误差设计补偿相应的第三层波导偏移量，并在第三层波导待刻蚀区域制作对准以后的第三层波导。
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