买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都宏明电子股份有限公司申请的专利超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117682855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311466917.6，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷及其制备方法是由熊喆;高秀华;姚强;刘博涛;杨元博设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷的生产技术领域，改性钼基微波介质陶瓷的原料为Al2O3、MoO3、Li2CO3和V2O5，其化学式为xAl2Mo3O12‑1‑xLiMoVO6，x＝0.01～0.02；改性钼基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：配料；球磨，烘干，过筛，预烧；再次配料，球磨，烘干，造粒；压制成型，排胶，保温，制得超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷。本发明将LiMoVO6体系的原料粉体中引入Al2Mo3O12体系的原料粉体，形成两相共存体系，在提高谐振频率温度稳定性的同时仍大幅降低了Al2Mo3O12基陶瓷的烧结温度，最终该体系在更低烧结温度600℃下实现了优异微波介电性能。

本发明授权超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷的制备方法，所述超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷的原料为Al2O3、MoO3、Li2CO3和V2O5，其化学式为xAl2Mo3O12-1-xLiMoVO6，其中x=0.79~0.80，其特征在于：所述超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷的制备方法包括以下步骤： 步骤1、先将Al2O3和MoO3的原始粉料按照化学式Al2Mo3O12进行配料，得到Al2Mo3O12体系的原料粉体；再将Li2CO3、MoO3和V2O5的原始粉料按照化学通式LiMoVO6进行配料，得到LiMoVO6体系的原料粉体； 步骤2、将步骤1配好的Al2Mo3O12体系的原料粉体和LiMoVO6体系的原料粉体分别装入球磨罐，选择锆球以及无水乙醇为研磨介质进行球磨，待球磨结束后将混合浆料置于烘箱中烘干，随后以60~100目的筛网过筛，将过筛后的Al2Mo3O12体系的粉体于675℃~700℃的大气气氛中预烧2~4小时，将过筛后的LiMoVO6体系的粉体于475~525℃的大气气氛中预烧2~4小时； 步骤3、将步骤2中的Al2Mo3O12体系的预烧后粉体和LiMoVO6体系的预烧后粉体按照化学式xAl2Mo3O12-1-xLiMoVO6进行配料，其中x=0.79~0.80，然后再次装入球磨罐，选择锆球以及无水乙醇为研磨介质进行球磨，待球磨结束后将混合浆料置于烘箱中烘干，再向烘干后的粉体添加丙烯酸溶液作为粘结剂进行造粒，制得陶瓷生料； 步骤4、将步骤3制得的陶瓷生料压制成型，随后以2℃min~5℃min的升温速率在400℃~450℃温度下排胶2~4小时，紧接着再以相同速率升温至580℃保温4~6小时，制得超低温烧结的改性钼基微波介质陶瓷，其化学式为xAl2Mo3O12-1-xLiMoVO6，x=0.79~0.80。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都宏明电子股份有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市成华区建设路43号17栋2层8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。