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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117791305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211160577.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法是由周满;孙昀;荀孟;赵壮壮;潘冠中设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法。包括主腔以及环绕在主腔外围的N个反馈腔，N≥2。主腔所具有的上布拉格发射镜与每一反馈腔所具有的上布拉格发射镜的纵向交接处均具有高阻层，高阻层用于电隔离主腔和反馈腔，高阻层还用于提高主腔与反馈腔交接处的反波导折射率，以及用于确定对于激光所具有的横模的模式选择力。具有横向结构的垂直腔表面发射激光器所具有的上布拉格发射镜与有源区之间具有横向光场限制层。其中，主腔用于产生激光，激光分为纵模和横模。横模在高阻层和横向光场限制层的共同作用下耦合进入反馈腔，并沿横向光场限制层再次反馈至主腔，而后与主腔内的横模发生光子‑光子谐振效应，从而提升‑3dB带宽。

本发明授权一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有横向结构的垂直腔表面发射激光器，其特征在于，包括主腔以及环绕在所述主腔外围的N个反馈腔，N≥2；所述主腔所具有的上布拉格反射镜与每一所述反馈腔所具有的上布拉格反射镜的纵向交接处均具有高阻层，所述高阻层用于电隔离主腔与每一所述反馈腔；所述高阻层还用于提高所述主腔与反馈腔交接处的反波导折射率，以及用于确定对于激光所具有的横模的模式选择力；每一所述反馈腔与所述主腔相对的一端均设置有反射镜层；所述反射镜层包括氧化限制层和增反膜层；所述反射镜层用于增强反馈腔对于横模的反馈强度； 所述具有横向结构的垂直腔表面发射激光器所具有的上布拉格反射镜与有源区之间具有横向光场限制层； 其中，所述主腔用于产生激光，所述激光分为纵模和横模；所述横模在所述高阻层以及横向光场限制层的作用下，一部分耦合至所述反馈腔，在所述反馈腔内经放大、反射后再次沿所述横向光场限制层并反向反馈至所述主腔，而后与所述主腔内的横模发生光子-光子谐振效应，从而提升-3dB带宽。

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