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重庆大学伊浩获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末在粉芯丝材电弧增材中的应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117843377B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410006520.7,技术领域涉及:C04B35/628;该发明授权一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末在粉芯丝材电弧增材中的应用是由伊浩;贾乐;曹华军设计研发完成,并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末在粉芯丝材电弧增材中的应用在说明书摘要公布了:一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末及其在粉芯丝材电弧增材中的应用,包壳粉末包括陶瓷基体粉体、牺牲层包覆粉体;应用包括:1将上述牺牲层包壳粉末作为用于增材制造的陶瓷颗粒;2基于陶瓷颗粒,制造陶瓷颗粒增强金属基复合材料。本发明在陶瓷颗粒表面包覆一层牺牲层,在电弧增材制造过程中,牺牲层在电弧高温区瞬间气化形成蒸汽层,可以有效避免内层陶瓷颗粒的溶解,提升粉芯丝材电弧增材制造的成形质量。

本发明授权一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末在粉芯丝材电弧增材中的应用在权利要求书中公布了:1.一种基于莱顿弗罗斯特效应的牺牲层包壳粉末在粉芯丝材电弧增材中的应用,其特征在于,包括以下步骤: 将牺牲层包壳粉末作为陶瓷颗粒; 往金属基体材料中掺入陶瓷颗粒,制造陶瓷颗粒增强金属基复合材料; 所述陶瓷颗粒增强金属基复合材料用作增材制造的粉芯丝材; 所述牺牲层包壳粉末包括陶瓷基体粉体1、牺牲层包覆粉体2; 所述牺牲层包覆粉体2包覆在陶瓷基体粉体1的外面; 所述陶瓷基体粉体1为熔点高于金属基体材料的增强颗粒; 所述牺牲层包覆粉体2的沸点低于陶瓷基体粉体1的熔点; 所述陶瓷基体粉体1的尺寸为20μm-40μm; 所述牺牲层包覆粉体2的尺寸为200nm-500nm; 所述牺牲层包覆粉体2在陶瓷基体粉体1表面包覆厚度为10μm-15μm; 所述牺牲层包壳粉末的制备步骤如下: S1将反应器放置于加热的电极中,令电极对反应器进行加热; 在使用反应器制备牺牲层包壳粉末之前,还对反应器进行清洁; 所述电极加热温度的范围为600℃-800℃; 所述反应器的出口处设有冷凝器; 所述冷凝器用于将反应过程中产生的水汽冷凝成液体排出; S2将陶瓷基体粉体放入反应器的反应区,并通入活性气体和硅源,使活性气体与硅源反应生成的牺牲层包覆粉体包覆陶瓷基体粉体,从而得到牺牲层包壳粉末; 所述活性气体包括氧化剂和反应气体; 所述氧化剂包括氧气; 所述反应气体包括氯气; 所述氧气和氯气的流量可调; 所述硅源包括硅烷; 所述硅烷和氧气的质量流量比为1:10。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学,其通讯地址为:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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