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龙图腾网获悉杭州龙圣外延科技有限公司申请的专利正压差MOCVD设备及正压差MOCVD方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117966122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410269427.5，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权正压差MOCVD设备及正压差MOCVD方法是由徐国强;张丽娜;闻洁设计研发完成，并于2024-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本正压差MOCVD设备及正压差MOCVD方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种正压差MOCVD设备，包括：减压舱61，减压舱61被配置为能够提供低于大气压力的环境；反应腔壳，设置在减压舱61内，用于提供供反应气体发生化学反应的环境；进气口和排气口，分别用于向反应腔壳内供应反应气体和从反应腔壳内排出气体；以及内工作单元，设置在反应腔壳内，并且内工作单元与反应腔壳之间形成反应气体通道51，其中，MOCVD设备被配置为能够使反应腔壳内的第一压力高于减压舱61内的第二压力，并且第一压力和第二压力均低于大气压力。本发明还提供了一种正压差MOCVD方法。本发明的正压差MOCVD设备和方法能够避免原料气的浪费，保证反应腔壳内无外界杂质气体进入，能够提高半导体器件的沉积质量，增大产能。

本发明授权正压差MOCVD设备及正压差MOCVD方法在权利要求书中公布了：1.一种正压差MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括： 减压舱61，所述减压舱61被配置为能够提供低于大气压力的环境； 反应腔壳，设置在减压舱61内，用于提供供反应气体发生化学反应的环境； 进气口和排气口，分别用于向反应腔壳内供应反应气体和从反应腔壳内排出气体；以及 内工作单元，设置在反应腔壳内，并且内工作单元与反应腔壳之间形成反应气体通道51，所述内工作单元包括内筒41， 进气口和排气口设置在反应腔壳上，进气元件52设置在进气口上，排气元件53设置在排气口上，反应腔壳上还设置有分隔元件54，所述分隔元件54位于反应气体通道51内、进气元件52和排气元件53之间；分隔元件54上两侧设置气孔，气孔中喷入载气，形成气体阻隔层； 分隔元件54与内筒41之间具有间隙； 所述进气元件52和排气元件53在反应腔壳的周向上相邻的设置； 所述进气元件52的伸入反应气体通道51中的部分包括径向段和相对于径向段弯折的折弯段；所述折弯段上设置有第一出气口和第二出气口，从第一出气口处供应的反应气体的流动方向大致相切于以内筒41的纵向轴线上的点为圆心的圆，从第二出气口处供应的反应气体的流动方向大致指向内筒41的纵向轴线，以形成气帘； 其中，所述MOCVD设备被配置为能够使反应腔壳内的第一压力高于减压舱61内的第二压力，并且所述第一压力和第二压力均低于大气压力。

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