福建晶安光电有限公司杨胜裕获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种立式HVPE生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118186576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311866326.8，技术领域涉及：C30B25/10；该发明授权一种立式HVPE生长装置是由杨胜裕;管禹童设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种立式HVPE生长装置在说明书摘要公布了：一种立式HVPE生长装置，用于生长单晶氮化镓，包括腔体管、气源区、单晶生长托盘和加热系统；气源区由多个气体导管嵌套组成，加热系统包含三个加热装置，对应三个温区，按立式HVPE装置由上至下的顺序，依次为第一加热装置，对应第一温区800℃至900℃，第二加热装置，对应第二温区1400℃至1600℃，第三加热装置，对应温区为1000℃至1100℃，所述第二加热装置为射频线圈。气体导管由三部分拼接组成，自上至下为石英部，隔热部，感应部。本发明通过改进立式HVPE生长装置的加热系统并改进其气体导管，设置三种特定温度的温区，并通过射频加热控制第二温区温度，可以有效抑制气体的提前反应，同时能保证NH3气体与GaCl气体在单晶生长托盘的充分混合，有利于生成高品质的单晶氮化镓。
本发明授权一种立式HVPE生长装置在权利要求书中公布了：1.一种立式HVPE生长装置，其特征在于， 包括腔体管、气源区、单晶生长托盘和加热系统； 腔体管开口部分为立式HVPE装置上部，单晶生长托盘位于装置下部,气源区在腔体管内侧，由多个气体导管嵌套组成，不同气体由不同的气体导管输送，气体导管内含一镓舟，提供反应的镓源，单晶生长托盘用于承载单晶氮化镓的生长，加热系统设置于腔体管外侧； 其特征为，加热系统包含三个加热装置，对应三个温区，按立式HVPE装置由上至下的顺序，依次为第一加热装置，对应第一温区温度为800℃至900℃，第二加热装置，对应第二温区温度为1400℃至1600℃，第三加热装置，对应温区为1000℃至1100℃，所述第二加热装置为射频线圈,所述气体导管由三部分拼接组成，自上至下为石英部，隔热部，感应部,石英部底端水平高度低于或等于所述镓舟最底端的水平高度。
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