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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利多层膜成膜装置及多层膜半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118460986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410545460.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权多层膜成膜装置及多层膜半导体结构的制备方法是由张彭设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层膜成膜装置及多层膜半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造设备领域，具体涉及一种多层膜成膜装置及多层膜半导体结构的制备方法，多层膜成膜装置包括反应腔、承载机构和传送机构，在反应腔内设置第n成膜区域，用于沉积n个膜层，在上一成膜区域与下一成膜区域之间设置传送区域，承载机构用于承载固定晶圆；承载机构安装于传送机构上，传送机构用于传送承载机构以实现晶圆在反应腔内的移动；晶圆通过传送机构依次经过第1成膜区域的处理，第2成膜区域的处理，…，第n成膜区域的处理，实现n层膜层的沉积。多层膜成膜装置的反应腔可沉积多层不同膜层，晶圆不需要反复进出不同的反应腔，提高了成膜装置的工作效率，降低了晶圆在传送过程中受到污染的风险。

本发明授权多层膜成膜装置及多层膜半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于空间隔离原子层沉积的多层膜成膜装置，其特征在于，包括： 反应腔，在所述反应腔内设置：第1成膜区域，用于沉积第1膜层；第2成膜区域，用于沉积第2膜层；…；第n成膜区域，用于沉积第n膜层；其中，n≥2；每个所述成膜区域根据采用原子层沉积所要沉积的膜层设置对应数量的气体处理区域，且上一气体处理区域与下一气体处理区域之间设置气体隔离区域，晶圆从上一气体处理区域到下一气体处理区域经过所述气体隔离区域； 在上一所述成膜区域与下一所述成膜区域之间设置传送区域，所述传送区域为隔离气体氛围，晶圆从上一所述成膜区域到下一所述成膜区域经过所述传送区域； 承载机构，用于承载固定晶圆； 传送机构，所述承载机构安装于所述传送机构上，所述传送机构用于传送所述承载机构以实现晶圆在所述反应腔内的移动； 晶圆通过所述传送机构依次经过所述第1成膜区域的处理，所述第2成膜区域的处理，…，所述第n成膜区域的处理，实现n层膜层的沉积。

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