福建省晋华集成电路有限公司许培育获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118475120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410741407.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由许培育;蔡建成;吴建山;江丽贞;晋墩尚;吴媛;潘超;蔡攀崖设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，在形成多个切槽之后，可进一步在各切槽中填充牺牲层，然后再以该牺牲层为阻挡，去除硬掩膜层，以形成位于相邻连接垫结构之间的隔离结构；由于填充在所述切槽中的牺牲层可以在去除所述硬掩膜层时对切槽底部的各组件材料进行保护，即避免了现有技术中在形成切槽时执行蚀刻过度所衍生的短路、漏电等问题，进而提升了半导体器件的可靠度与性能。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底； 形成多个相互分隔地位线结构及侧壁结构，所述位线结构位于所述基底上，所述侧壁结构位于所述位线结构的侧壁上； 形成由下往上依次堆叠的触点结构、连接垫结构及硬掩膜层，所述触点结构位于相邻所述位线结构之间，所述连接垫结构位于所述触点结构上，所述硬掩膜层位于所述连接垫结构上； 形成多个切槽，所述切槽沿所述基底表面垂直的方向穿过所述位线结构一侧的所述硬掩膜层、所述连接垫结构及部分所述位线结构，并露出部分所述侧壁结构； 形成牺牲层于所述切槽内，所述牺牲层覆盖所述侧壁结构的顶面； 以所述牺牲层为阻挡，去除所述硬掩膜层； 去除所述牺牲层，并形成位于相邻连接垫结构之间的隔离结构； 其中，所述硬掩膜层和所述牺牲层的材料不同。
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