中国人民解放军国防科技大学石峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118658764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410811785.4，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源是由石峰;周港;田野;巩保启;郭双鹏设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源，包括安装法兰，所述安装法兰一侧安装有离子源模块、另一侧安装有水冷板，所述水冷板外部安装有下屏蔽壳，所述离子源模块包括放电室和分别依次布置于放电室外侧的射频线圈、静磁铁和铁芯，所述放电室靠安装法兰的一侧设有气体分配器、另一侧安装有加速栅极离子光学系统，所述铁芯和加速栅极离子光学系统的外部设有上屏蔽罩，且所述上屏蔽罩上位于放电室和加速栅极离子光学系统的离子源出口处设有开口。本发明旨在克服现有射频离子源电负性气体适应性差、难以点火并维持等离子体、需要高射频功率实现电离的缺点，提升工艺气体适应性，提高气体电离率，实现离子源长时间稳定刻蚀应用。
本发明授权一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源在权利要求书中公布了：1.一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源，其特征在于，包括安装法兰4，所述安装法兰4一侧安装有离子源模块、另一侧安装有水冷板3，所述水冷板3外部安装有下屏蔽壳2，所述离子源模块包括放电室9和分别依次布置于放电室9外侧的射频线圈8、静磁铁7和铁芯6，所述放电室9靠安装法兰4的一侧设有气体分配器5、另一侧安装有加速栅极离子光学系统10，所述铁芯6和加速栅极离子光学系统10的外部设有上屏蔽罩11，且所述上屏蔽罩11上位于放电室9和加速栅极离子光学系统10的离子源出口处设有开口；所述射频线圈8为缠绕在放电室9的外壁上的柱状螺旋管；所述静磁铁7为管状结构且套设在射频线圈8的外侧；所述铁芯6为管状结构且两端设有与管壁垂直且向内延伸的管沿，使得射频线圈8、静磁铁7两者的端面嵌入安装在两个管沿之间。
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