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龙图腾网获悉江苏仲磊芯半导体有限公司申请的专利一种四结太阳能电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118658918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410973110.X，技术领域涉及：H10F10/161；该发明授权一种四结太阳能电池及其制作方法是由张雷;张坤铭;许堃设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种四结太阳能电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种四结太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池的技术领域。本发明所述四结太阳能电池按生长方向在GaAs衬底上依次设置第四结GeSi子电池、第三结GeSi子电池、第二结GaAs子电池、第一结GaInP子电池、电极接触层；GaAs衬底与第四结GeSi子电池之间通过第四隧穿结连接；第四结GeSi子电池与第三结GeSi子电池之间通过第三隧穿结连接；第三结GeSi子电池与第二结GaAs子电池之间通过第二隧穿结连接；第二结GaAs子电池与第一结GaInP子电池之间通过第一隧穿结连接。本发明能够解决太阳电池晶格匹配和电流匹配的问题，从而提高四结太阳电池的开路电压和转换效率。

本发明授权一种四结太阳能电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种四结太阳能电池，其特征在于，按生长方向在GaAs衬底上依次设置第四结GeSi子电池、第三结GeSi子电池、第二结GaAs子电池、第一结GaInP子电池、电极接触层；所述GaAs衬底与第四结GeSi子电池之间通过第四隧穿结连接；所述第四结GeSi子电池与第三结GeSi子电池之间通过第三隧穿结连接；所述第三结GeSi子电池与第二结GaAs子电池之间通过第二隧穿结连接；所述第二结GaAs子电池与第一结GaInP子电池之间通过第一隧穿结连接； 所述第四结GeSi子电池的厚度为1000-3000nm；所述第三结GeSi子电池的厚度为200-1000nm； 所述第四结GeSi子电池和第三结GeSi子电池从下至上依次包含p型GaAs背电场、p型GeSi基区、n型GeSi发射区、n型GaInP窗口层； 所述第四结GeSi子电池中p型GeSi基区厚度为900-2800nm，掺杂浓度为2×1016-5×1017cm-3，n型GeSi发射区厚度为50-150nm，掺杂浓度为5×1017-5×1018cm-3，发射区和基区的Si组分为0.02；所述第三结GeSi子电池中p型GeSi基区厚度为100-800nm，掺杂浓度为2×1016-5×1017cm-3，n型GeSi发射区厚度为50-150nm，掺杂浓度为5×1017-5×1018cm-3，发射区和基区的Si组分为0.02。

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