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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利多路径的高速高线性度栅压自举开关电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118740123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410891686.1，技术领域涉及：H03K17/041；该发明授权多路径的高速高线性度栅压自举开关电路及控制方法是由郭春炳;陈豪;徐莎;王振宇;李明杰;田家炜;谢欢林设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本多路径的高速高线性度栅压自举开关电路及控制方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种多路径的高速高线性度栅压自举开关电路，包括：包括MOS管MS、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、电容C1、电容C2以及反相器I1，其中，MOS管MS的栅极与MOS管M2的栅极、MOS管M5、MOS管M9的漏级相连；MOS管MS的漏级与MOS管M14的漏级、电容C2的上级板、输出信号VOUT相连；MOS管MS的源极与MOS管M1的漏级、MOS管M14的源极以及输入信号VIN相连；MOS管MS的衬底与MOS管M1的源极、MOS管M2、MOS管M3的源极、MOS管M7的漏级、MOS管M14的衬底、电容C1的下级板相连。本申请能够显著加快栅压自举的速度以及栅压自举开关电路采样的速度。

本发明授权多路径的高速高线性度栅压自举开关电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种多路径的高速高线性度栅压自举开关电路，其特征在于，包括MOS管MS、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、电容C1、电容C2以及反相器I1其中，所述MOS管MS的栅极与所述MOS管M2的栅极、所述MOS管M5、所述MOS管M9的漏极相连； 所述MOS管MS的漏极与所述MOS管M14的漏极、所述电容C2的上级板、输出信号VOUT相连；所述MOS管MS的源极与所述MOS管M1的漏极、MOS管M14的源极以及输入信号VIN相连；所述MOS管MS的衬底与MOS管M1的源极、所述MOS管M2、MOS管M3的源极、MOS管M7的漏极、MOS管M14的衬底、电容C1的下级板相连； 所述MOS管M1的栅极与所述MOS管M8、MOS管M14的栅极、MOS管M10、MOS管M11的漏极相连；所述MOS管M2的漏极与所述MOS管M3、MOS管M4的漏极、MOS管M9的栅极相连；所述MOS管M3、MOS管M4的栅极接时钟信号CLKS；所述MOS管M4的源极接电源电压VDD；所述MOS管M5的栅极接电源电压VDD；所述MOS管M5的源极与所述MOS管M6的漏极相连； 所述MOS管M6的栅极接时钟信号CLKSB；所述MOS管M6的源极接地；所述MOS管M7的栅极接时钟信号CLKSB；所述MOS管M7的源极接地；所述MOS管M8的源极接电源电压VDD；所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M8的衬底、MOS管M9、MOS管M10的源极与衬底、电容C1的上级板相连；所述MOS管M10的栅极接时钟信号CLKSB；所述MOS管M11的栅极、所述MOS管M12的源极接电源电压VDD；所述MOS管M11的源极与所述MOS管M12、MOS管M13的漏极相连；所述MOS管M12、MOS管M13的栅极接时钟信号CLKSB；所述MOS管M13的源极接地；所述电容C2的下级板接地；所述反相器I1的输入接所述时钟信号CLKS；所述反相器I1的输出接所述时钟信号CLKSB。

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