南京航空航天大学曹水艳获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种二维黑磷电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118759777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410996076.8，技术领域涉及：G02F1/17；该发明授权一种二维黑磷电光调制器是由曹水艳;钱鹏程;刘衍朋设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维黑磷电光调制器在说明书摘要公布了：一种二维黑磷电光调制器，它包括二维黑磷电容器、氮化硅环形波导、硅波导和二氧化硅基片，其特征是：通过以下方法制备而成：首先，在二氧化硅基片的上表面向下沉积所述氮化硅环形波导和硅波导，其次，在氮化硅环形波导和二氧化硅基片上方集成一个二维黑磷电容器，二维黑磷电容器连接有与电源相连的电极；所述二维黑磷电容器由两层黑磷层和一层氧化铝层构成，氧化铝层作为介质层，上下各设有一层黑磷层。本发明的电光调制器具有功耗低、带宽大的优点。
本发明授权一种二维黑磷电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种二维黑磷电光调制器，它包括二维黑磷电容器、氮化硅环形波导、硅波导和二氧化硅基片，其特征是：通过以下方法制备而成：首先，在二氧化硅基片的上表面向下沉积所述氮化硅环形波导和硅波导，其次，在氮化硅环形波导和二氧化硅基片上方集成一个二维黑磷电容器，二维黑磷电容器连接有与电源相连的电极；所述二维黑磷电容器由两层黑磷层和一层氧化铝层构成，氧化铝层作为介质层，上下各设有一层黑磷层；通过对二维黑磷电容器电极施加驱动电压，调控二维黑磷层对光的吸收状态，使氮化硅环形波导和硅波导产生光功率耦合变化，以实现对光的调制；所述黑磷层单层的厚度为1纳米，氧化铝层的厚度为80纳米；所述二氧化硅基片的长度为3微米，宽度为1.2微米，厚度为2微米；通过光信号的硅波导长为3微米，宽为0.1微米，厚度为0.1微米，距离氮化硅环形波导的距离为0.1微米。
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