厦门市三安集成电路有限公司王金枚获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410870666.6，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组是由王金枚;吴伟鑫;魏鸿基;王鹏;洪思航设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组。所述异质结双极晶体管包括隔离区，所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层，所述隔离区还设置有集电极接触层，所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔，所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层，所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽，所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层厚度的二分之一。本实施例通过在半导体层上围绕背孔对应的集电极接触层设置隔离槽，通过隔离槽隔绝器件漏电的路径，降低异质结双极晶体管的器件漏电的风险，以提升异质结双极晶体管的产品性能。
本发明授权异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括隔离区，所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层，所述隔离区还设置有集电极接触层，所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔，所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层，所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽，所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层厚度的二分之一，所述半导体层的厚度为所述半导体层远离所述衬底的表面至所述衬底与所述半导体层接触的表面的距离。
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