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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118862784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410836728.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质是由刘锦辉;梁博;吴耔言;王思齐;祝炜;刘刚;王泉设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明属于三维集成电路技术领域，公开了一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质，方法根据硅通孔结构建立总剂量等效电路拓扑结构；确定总剂量效应等效电路中寄生电参数计算方程；计算电参数在常态条件下的值，并对比仿真计算得到的S参数与实际测量的S参数，验证总剂量效应等效电路模型；优化设计，提取不同辐射剂量条件下等效电路中的电参数；提取电参数随辐射剂量变化曲线；拟合材料属性随辐射剂量变化的方程；预测任意辐射剂量点硅通孔链路的S参数；设备及介质用于实现一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法；本发明评估因素全面，能更贴合实际辐照情况，更精确模拟实际辐射情况下硅通孔链路性能。

本发明授权一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于等效电路模型的硅通孔链路总剂量效应评估方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：根据硅通孔TSV链路的实际布局结构，将硅通孔TSV链路划分为顶层重布线层RDL、底层重布线层RDL、硅通孔TSV和凸点bump四部分，并建立各部分的总剂量TID效应等效电路拓扑结构，再将各部分的总剂量TID效应等效电路拓扑结构连接，构建成硅通孔TSV链路完整的总剂量TID效应等效电路拓扑结构； 步骤2：确定总剂量TID效应等效电路中寄生电参数的计算方程； 步骤3：通过步骤2确定的计算方程计算寄生电参数在常态条件下的值，并将计算得到的寄生电参数值代入步骤1构建的完整的总剂量TID效应等效电路拓扑结构，得到总剂量TID效应等效电路模型，再对总剂量TID效应等效电路模型进行仿真得到S参数，当仿真得到的S参数与实际测量的常态条件下的S参数平均相对误差小于等于期待值Error，则总剂量TID效应等效电路模型可用，继续执行步骤4； 步骤4：在ADS软件中实施总剂量TID效应等效电路模型的优化设计，以实际测量得到的各辐射剂量对应的S参数为优化目标，采用ADS软件内置的优化算法通过迭代调整总剂量TID效应等效电路中的寄生电参数，使总剂量TID效应等效电路的仿真S参数与实际测量的S参数之间的差值最小； 步骤5：执行步骤4中的优化设计，提取各辐射剂量条件下总剂量TID效应等效电路中的寄生电参数，绘制寄生电参数随辐射剂量的变化曲线； 步骤6：基于步骤5绘制的各寄生电参数随辐射剂量的变化曲线，根据步骤2中确定的各寄生电参数的计算方程，提取各辐射剂量条件下硅通孔TSV链路的材料属性值，并采用多项式拟合得到材料属性值随辐射剂量变化的方程； 步骤7：将步骤6拟合得到的材料属性值随辐射剂量变化的方程代入步骤2中确定的寄生电参数计算方程，在ADS软件中仿真总剂量TID效应等效电路，预测在任意辐射剂量点下硅通孔TSV链路的S参数。

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