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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于PVT法生长大尺寸单晶的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118880445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410946415.1，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权用于PVT法生长大尺寸单晶的装置和方法是由陈小龙;盛达;王文军;李辉;郭建刚设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于PVT法生长大尺寸单晶的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于PVT法生长大尺寸单晶的装置，其包括坩埚、保温结构、感应加热单元和红外测温单元；保温结构位于坩埚的顶部且包括固定保温结构和可移动保温结构；其中固定保温结构固定于坩埚顶部的中心位置；可移动保温结构被配置成能够沿着坩埚的轴向方向来回移动和旋转，并且在移动至与坩埚的顶部接触时，可移动保温结构能够与固定保温结构紧密贴合。本发明还提供一种用于PVT法生长大尺寸单晶的方法，其使用本发明的装置。本发明的装置和方法可以实现在采用PVT法感应加热而生长单晶和生长结束后降温的过程中对籽晶的径向温场进行动态调整，使其始终保持优异的梯度。

本发明授权用于PVT法生长大尺寸单晶的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于PVT法生长大尺寸单晶的装置，其包括坩埚、保温结构、感应加热单元和红外测温单元； 所述保温结构位于所述坩埚的顶部且包括固定保温结构和可移动保温结构；其中所述固定保温结构固定于所述坩埚顶部的中心位置；所述可移动保温结构被配置成能够沿着所述坩埚的轴向方向来回移动和旋转，并且在移动至与所述坩埚的顶部接触时，所述可移动保温结构能够与所述固定保温结构紧密贴合； 所述红外测温单元包括测温点位于坩埚顶部中心的坩埚顶部中心测温仪、测温点位于坩埚顶部边缘的坩埚顶部边缘测温仪和测温点位于坩埚底部中心的坩埚底部中心测温仪； 所述感应加热单元被配置为向所述坩埚提供热量； 所述可移动保温结构为环状，并且在轴向上分为远离所述坩埚的第一部段和靠近所述坩埚的第二部段； 所述第一部段的外径与所述坩埚的外径的差值为0～50mm，所述第一部段的顶部内径为所述坩埚外径的30%～100%，所述第一部段的顶部内径大于等于第一部段的底部内径； 所述第二部段的外径与所述第一部段的外径相同； 所述固定保温结构为圆台，由上至下内径逐渐变大； 所述圆台的底部直径为所述坩埚外径的40%～80%，所述圆台的顶部直径为所述坩埚外径的30%～60%。

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