惠州亿纬锂能股份有限公司谢英朋获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州亿纬锂能股份有限公司申请的专利一种硅碳复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411098754.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种硅碳复合材料及其制备方法和应用是由谢英朋;赵瑞瑞;冀亚娟设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅碳复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请具体公开了一种硅碳复合材料及其制备方法和应用。硅碳复合材料包括多孔硅核和包覆在所述多孔硅核外的包覆碳层；所述多孔硅核与所述包覆碳层均包括第一掺杂元素和第二掺杂元素；其中，所述第一掺杂元素包括银、铜中的至少一种；所述第二掺杂元素包括硼、铝、镓中的至少一种；所述第一掺杂元素在所述硅碳复合材料中的质量占比为0.2％‑5％；所述第二掺杂元素在所述硅碳复合材料中的质量占比为0.5％‑4％。本申请具有降低锂电池内阻，提高锂电池倍率性能和快充循环稳定性的优点。
本发明授权一种硅碳复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅碳复合材料，其特征在于：包括多孔硅核和包覆在所述多孔硅核外的包覆碳层； 所述多孔硅核与所述包覆碳层均包括第一掺杂元素和第二掺杂元素； 其中，所述第一掺杂元素包括银、铜中的至少一种；所述第二掺杂元素包括硼、铝、镓中的至少一种； 所述第一掺杂元素在所述多孔硅核中的质量占比为0.1％-4％，所述第二掺杂元素在所述多孔硅核中的质量占比0.4％-3％； 所述第一掺杂元素在所述包覆碳层中的质量占比为2％-9％，所述第二掺杂元素在所述包覆碳层中的质量占比为4％-10％； 所述第一掺杂元素在所述多孔硅核中的质量记为a，所述第一掺杂元素在所述包覆碳层中的质量记为b，ab满足2-9：1； 所述第二掺杂元素在所述多孔硅核中的质量记为c，所述第二掺杂元素在所述包覆碳层中的质量记为d，cd满足3-8：1。
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