买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉润芯感知科技(南昌)有限公司申请的专利半导体加工工艺方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411404476.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体加工工艺方法和半导体器件是由黄翔亮;郭佳惠;高晋文设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体加工工艺方法和半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体加工工艺方法和半导体器件，所述半导体加工工艺方法包括：形成包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层的中间结构；将中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中，并在刻蚀腔室中使用刻蚀物质对金属结构进行刻蚀工艺，刻蚀工艺以图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜，移除金属结构的部分，并形成金属图案；在刻蚀工艺后，在中间结构的表面上残留有由刻蚀物质和金属结构的被移除部分反应生成的刻蚀副产物；将中间结构从刻蚀机台的刻蚀腔室移至刻蚀机台的附加真空腔室，向附加真空腔室通入水汽，并将水汽解离成等离子体，其中等离子体与刻蚀副产物反应，并生成气态产物；以及利用真空泵将气态产物从附加真空腔室抽出。

本发明授权半导体加工工艺方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体加工工艺方法，其特征在于，包括： 形成中间结构，其中所述中间结构包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层，所述金属结构位于所述衬底的一侧，且所述图案化的掩膜层位于所述金属结构的远离所述衬底的一侧，其中所述图案化的掩膜层覆盖并接触所述金属结构的远离所述衬底一侧的表面； 将所述中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中，并在所述刻蚀腔室中使用刻蚀物质对所述金属结构进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺以所述图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜，移除所述金属结构的部分，并形成金属图案；其中在所述刻蚀工艺后，在所述中间结构的表面上残留有由所述刻蚀物质和所述金属结构的被移除部分反应生成的刻蚀副产物； 将所述中间结构从所述刻蚀机台的所述刻蚀腔室移至所述刻蚀机台的附加真空腔室，向所述附加真空腔室通入水汽，并将所述水汽解离成等离子体，其中所述等离子体与所述刻蚀副产物反应，并生成气态产物，所述等离子体和所述刻蚀副产物反应还生成金属氧化物，所述金属氧化物的部分位于所述金属图案的侧表面上，且所述金属氧化物的另一部分位于所述图案化的掩膜层的表面上； 利用真空泵将所述气态产物从所述附加真空腔室抽出，其中在所述等离子体与所述刻蚀副产物的反应过程中，所述图案化的掩膜层的至少覆盖所述金属图案的部分不被所述等离子体移除，使得所述金属结构的远离所述衬底一侧的所述表面在所述反应过程中依然被所述图案化的掩膜层覆盖，且在所述等离子体与所述刻蚀副产物反应完成之后，所述图案化的掩膜层位于所述金属图案的所述表面与所述金属氧化物之间，以将所述金属图案的所述表面与所述金属氧化物间隔开；以及 在所述等离子体和所述刻蚀副产物反应完成以移除所述刻蚀副产物并生成所述金属氧化物之后，将所述中间结构从所述刻蚀机台移出，接着移除所述图案化的掩膜层及位于所述图案化的掩膜层上的所述金属氧化物的所述另一部分，并暴露出所述金属图案的远离所述衬底一侧的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人润芯感知科技(南昌)有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道588号南昌高新微电子科技园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。