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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利像素结构、像素结构的制备方法和修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411215229.7，技术领域涉及：G02F1/1343；该发明授权像素结构、像素结构的制备方法和修复方法是由陈杰;吴川;易文玉;韦东梅;袁海江设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素结构、像素结构的制备方法和修复方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种像素结构、像素结构的制备方法和修复方法，像素结构包括薄膜晶体管、像素电极层、有机平坦层、公共电极层和第一绝缘层；像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，像素结构包括熔断区和熔接区，薄膜晶体管和第一像素电极设置在熔断区，公共电极层和第二像素电极设置在熔接区，有机平坦层和第一绝缘层覆盖设置在熔断区和熔接区内，有机平坦层对应熔接区形成有第一镂空部；公共电极层与第二像素电极设置在第一镂空部内，熔接区内的有机平坦层的厚度小于熔断区内的有机平坦层的厚度。本申请通过改变熔接区的有机平坦层的厚度，避免镭射时有机平坦层出现收缩塌陷，导致像素电极在进行镭射的时候出现飞溅，使得像素暗点化失败。

本发明授权像素结构、像素结构的制备方法和修复方法在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，包括薄膜晶体管和像素电极层，其特征在于，所述像素结构还包括有机平坦层、公共电极层和第一绝缘层；所述像素电极层包括第一像素电极和第二像素电极，所述像素结构包括熔断区和熔接区，所述薄膜晶体管和第一像素电极设置在所述熔断区，所述公共电极层和第二像素电极设置在所述熔接区，所述有机平坦层和所述第一绝缘层覆盖设置在所述熔断区和所述熔接区内，且所述有机平坦层对应所述熔接区形成有第一镂空部； 其中，所述公共电极层与所述第二像素电极设置在所述第一镂空部，所述熔接区内的所述有机平坦层的厚度小于所述熔断区内的有机平坦层的厚度； 所述像素结构包括衬底和第一辅助导电层，所述薄膜晶体管与第一辅助导电层均设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管的栅极金属层与所述第一辅助导电层同层间隔设置，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层往所述熔接区延伸，并在所述第一镂空部下镂空，所述第一辅助导电层设置在所述熔接区的第一镂空部下。

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