浙江创芯集成电路有限公司徐世斌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411230603.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质是由徐世斌;高大为;吴永玉;任堃;鲁苗苗;颜哲钜;姚淼红;张馨元;李翰轩设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质在说明书摘要公布了：一种OPC模型的建立方法及装置、光学临近修正方法和设备、可读存储介质，所述建立方法包括：形成半导体结构，所述半导体结构具有图形化光刻胶；根据所述半导体结构，获得所述图形化光刻胶中图形的轮廓；对所述图形化光刻胶中图形的轮廓进行测量，获得轮廓测量值；根据所述轮廓测量值，建立OPC模型。与直接对图形化光刻胶的图形进行量测而获得的显影后量测数据相比，本发明技术方案，能够有效提高测量精度，获得高精度的轮廓测量值，从而能够有效减小所建立OPC模型的误差，有利于提高OPC模型的建立效率，有利于提高光学临近修正方法的修正精度。
本发明授权OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种OPC模型的建立方法，其特征在于，包括： 形成半导体结构，所述半导体结构具有图形化光刻胶； 根据所述半导体结构，获得所述图形化光刻胶中图形的轮廓，根据所述半导体结构，获得所述图形化光刻胶中图形的轮廓的步骤包括：获得所述图形化光刻胶的图像；根据所述图形化光刻胶的图像，提取所述图形化光刻胶中图形的轮廓； 对所述图形化光刻胶中图形的轮廓进行测量，获得轮廓测量值，以消除图形化光刻胶中边缘毛刺的干扰； 根据所述轮廓测量值，建立OPC模型。
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