无锡芯卓湖光半导体有限公司陶赓名获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡芯卓湖光半导体有限公司申请的专利异质结双极晶体管及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411054971.4，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权异质结双极晶体管及电子装置是由陶赓名;朱虹;许雅俊设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结双极晶体管及电子装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种异质结双极晶体管及电子装置。异质结双极晶体管包括集电极层、基极层和发射极层；基极层包括第一基极层、第二基极层和第三基极层；第一基极层位于第二基极层和集电极层之间；第三基极层位于第二基极层和发射极层之间；第二基极层的带隙小于第一基极层的带隙；第二基极层的带隙小于第三基极层的带隙；第三基极层的导带与发射极层的导带之差的绝对值，小于第二基极层的导带与发射极层的导带之差的绝对值。上述异质结双极晶体管，可以减小HBT的开启电压，进而减小HBT的整体功耗。
本发明授权异质结双极晶体管及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，所述异质结双极晶体管包括集电极层、基极层和发射极层； 所述基极层包括第一基极层、第二基极层和第三基极层；所述第一基极层位于所述第二基极层和所述集电极层之间；所述第三基极层位于第二基极层和所述发射极层之间；所述第二基极层的带隙小于所述第一基极层的带隙；所述第二基极层的带隙小于所述第三基极层的带隙；所述第三基极层的导带与所述发射极层的导带之差的绝对值，小于所述第二基极层的导带与所述发射极层的导带之差的绝对值； 所述第二基极层的导带分别小于所述第一基极层和所述第三基极层的导带，所述第一基极层的导带小于所述集电极层的导带，所述第三基极层的导带小于所述发射极层的导带；所述第二基极层的价带分别高于所述集电极层和所述发射极层的价带。
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