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龙图腾网获悉湖北瑞宇空天高新技术有限公司申请的专利一种C/C-SiC复合材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119100825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411438735.2，技术领域涉及：C04B35/83；该发明授权一种C/C-SiC复合材料的制备方法是由罗瑞盈;雷步越;黄鹏设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种C/C-SiC复合材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种CC‑SiC复合材料的制备方法，可以有效地提高CC‑SiC的制备效率，获得具有良好力学性能和优秀抗氧化及摩擦性能的CC‑SiC复合材料。其工艺方法在于将预制体热处理脱胶后先通过料浆浸渍裂解制备出含有SiC的C基体，再通过液态渗硅工艺将碳基体反应成SiC基体。所述料浆由SiC微粉分散在中温煤沥青中制成，经过料浆浸渍裂解至一定密度后，利用所述液态渗硅工艺将所述沥青浸渍裂解生成的碳基体部分反应为SiC基体。本发明适用于制备对材料抗氧化性及摩擦性能具有较高要求的构件。

本发明授权一种C/C-SiC复合材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CC-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：对碳纤维预制体进行脱胶处理，得到脱胶后的预制体； S2：将粒径为200~500nm的SiC微粉与软化点温度在80~100℃的沥青按质量比1:3~1:4混合，加热熔化，充分搅拌2~3h制得料浆； S3：将S1制得的脱胶后的预制体置于S2制得的料浆中真空浸渍2~3h，多余料浆回收后降温使预制体固化； S4：将固化后的预制体进行碳化，碳化完成后清除表面多余的碳层并清理干净； S5：重复S3~S43~4次，直至密度达到1.3~1.45gcm3，得到样件，将样件进行热处理，所述热处理的工艺参数为：抽真空至100Pa以下，以25~30℃h的升温速率升温至900~950℃并保温2~3h，再以35~40℃h的升温速率升至2100~2200℃并保温2~3h，然后以70~80℃h的速率降温至1500~1600℃后自然降温，得到热处理后的样件； S6：用质量为所述热处理后样件质量的15~13的硅料将热处理后的样件覆盖，以300~360℃h的升温速率升温至1600~1650℃并保温2~3h，然后随炉冷却至室温，进行渗硅，得到CC-SiC复合材料。

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