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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411109208.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;王逸勐;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；衬底包括横向扩散区域和核心区域；在横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀横向扩散区域和核心区域，以形成鳍状结构；鳍状结构包括沿第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；在第一鳍切沟槽中填充氧化物；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；在第二鳍切沟槽中填充氧化物；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以实现横向扩散器件与堆叠晶体管之间的工艺兼容。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括横向扩散器件和核心器件，所述核心器件包括沿第一方向堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；所述半导体结构还包括横向扩散器件，所述横向扩散器件与所述第一晶体管并排设置或与所述第二晶体管并排设置； 所述方法包括： 提供一衬底；所述衬底包括横向扩散区域和核心区域；所述横向扩散区域与所述核心区域在第二方向上相邻设置；所述第二方向垂直于所述第一方向； 在所述横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区； 刻蚀所述横向扩散区域和所述核心区域，以形成鳍状结构；所述鳍状结构包括沿所述第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构； 对所述第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；所述第一鳍切沟槽垂直于所述第一鳍状结构的延伸方向；所述第一鳍切处理的刻蚀深度为所述鳍状结构的高度的一半； 在所述第一鳍切沟槽中填充氧化物； 基于所述第一鳍状结构，形成所述第一晶体管； 倒片并去除所述衬底； 对所述第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；所述第二鳍切沟槽垂直于所述第二鳍状结构的延伸方向；所述第二鳍切处理的刻蚀深度等于所述鳍状结构的高度或等于所述鳍状结构的高度的一半； 在所述第二鳍切沟槽中填充所述氧化物； 基于所述第二鳍状结构，形成所述第二晶体管； 其中，所述方法还包括：在对所述第一鳍状结构进行第一鳍切处理的同时，在对应于所述第一鳍状结构的N型漂移区中形成第一凹槽，并基于所述第一凹槽形成所述横向扩散器件，或，在对所述第二鳍状结构进行第二鳍切处理的同时，在对应于所述第二鳍状结构的N型漂移区中形成第一凹槽，并基于所述第一凹槽形成所述横向扩散器件；所述第一凹槽用于填充所述氧化物。

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