安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基半导体激光器芯片元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119154089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411254653.2，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种氮化镓基半导体激光器芯片元件是由郑锦坚;陈婉君;钟志白;寻飞林;邓和清;张江勇;蓝家彬;蔡鑫;张会康;李晓琴;黄军;李水清;阚宏柱设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基半导体激光器芯片元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器芯片元件，包括衬底和外延层，所述外延层设置于所述衬底的上层，所述外延层的第一腔面表面镀有减反射层，第二腔面表面镀有高反射层，所述减反射层包括在第一腔面表面依次镀设的第一子减反射层、多层第二子减反射层和多层第三子减反射层，且所述多层第二子减反射层和多层第三子减反射层依次交替设置形成周期性结构，所述减反射层中包括多个峰值电场强度和多个谷值电场强度，所述多个峰值电场强度中的最大值位于所述减反射层的中部区域，且电场强度从所述中部区域向两侧逐渐下降。本发明能够提升激光器的量子效率和降低阈值电流密度。
本发明授权一种氮化镓基半导体激光器芯片元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基半导体激光器芯片元件，包括衬底和外延层，所述外延层设置于所述衬底的上层，其特征在于，所述外延层的左右两个侧面分别为第一腔面和第二腔面，激光沿第二腔面至第一腔面方向射出，所述第一腔面表面镀有减反射层，所述第二腔面表面镀有高反射层，所述减反射层包括在第一腔面表面依次镀设的第一子减反射层、由第二子减反射层和第三子减反射层依次交替设置形成的周期性结构，所述减反射层的模拟光场分布的电场强度为周期性振荡分布，所述减反射层中包括多个峰值电场强度和多个谷值电场强度，所述多个峰值电场强度中的最大值位于所述减反射层的中部区域，且电场强度从所述中部区域向两侧逐渐下降。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励