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龙图腾网获悉贵州振华风光半导体股份有限公司申请的专利一种高桥接电容匹配度的模数转换器及模数转换器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119154879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411016175.1，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种高桥接电容匹配度的模数转换器及模数转换器电路是由李方林;李雪;胡锐;袁兴林;朱红星;杨阳设计研发完成，并于2024-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高桥接电容匹配度的模数转换器及模数转换器电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，尤其是一种高桥接电容匹配度的模数转换器及模数转换器电路，所述模数转化器电路包括高位电容阵列、低位电容阵列、桥接单元、比较锁存单元和数字单元；所述高位电容阵列用于量化模数转换器中的高位数据；所述低位电容阵列用于量化模数转换器中的低位数据；所述桥接单元用于高位电容阵列和低位电容阵列之间的桥接；所述比较锁存单元用于将高位电容阵列和低位电容阵列量化的电压与外部共模电压比较锁存；所述数字单元用于通过逐次逼近逻辑将比较锁存单元输出的模拟信号转换为数字信号。采用本方案，能够使桥接电容与单位电容之间的比值成整数倍关系，从而提升桥接电容的匹配度，实现更加精确的电荷重分配。

本发明授权一种高桥接电容匹配度的模数转换器及模数转换器电路在权利要求书中公布了：1.一种高桥接电容匹配度的模数转换器电路，其特征在于：包括高位电容阵列、低位电容阵列、桥接单元、比较锁存单元和数字单元； 所述高位电容阵列中的输入端口INO、IN1、IN2和IN3分别与外部共模电压端口Vcom、参考地端口GND、参考电压端口VREF和模拟输入信号端口Vin连接，高位电容阵列中的输出端口OUT0与桥接单元中的输出端口OUT0和比较锁存单元中的输入端口IP均连接； 所述低位电容阵列中的输入端口IN1和IN2分别与参考地端口GND和参考电压端口VREF连接，低位电容阵列中的输出端口OUT0与桥接单元中的输入端口IN0连接； 所述桥接单元包括桥接电容C6、桥接电容C7、开关SW1和共源极运放A0；所述共源极运放A0的输入端与桥接单元中的输入端口IN0连接，输出端与桥接电容C7的一端连接，所述桥接电容C7的另一端与桥接单元中的输出端口OUT0连接，桥接单元中的输出端口OUT0与比较锁存单元中的输入端口IP连接；所述桥接电容C6和开关SW1均与共源极运放A0并联； 所述比较锁存单元中的输入端口IN与外部共模电压端口Vcom连接；比较锁存单元中的输出端口Vout与数字单元中的输入端口INO连接；比较锁存单元中的输入端口INO与数字单元中的输出端口OUT0连接； 所述数字单元用于通过逐次逼近逻辑将比较锁存单元输出的模拟信号转换为数字信号； 所述共源极运放A0包括电流源、PMOS管PM0、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM0、NMOS管NM1和NMOS管NM2； 所述PMOS管PM0、PMOS管PM2和PMOS管PM4的源极均相连；所述PMOS管PM0的栅极与PMOS管PM2的栅极和PMOS管PM4的栅极均连接，漏极与PMOS管PM1的源极连接；所述PMOS管PM2的漏极与PMOS管PM3的源极连接；所述PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM3的栅极和PMOS管PM5的栅极均连接；所述PMOS管PM4的漏极与PMOS管PM5的源极连接； 所述PMOS管PM1的漏极与电流源连接；所述PMOS管PM3的漏极与NMOS管NM0的漏极连接；所述PMOS管PM5的漏极与NMOS管NM1的漏极和共源极运放A0的输出端均连接；所述NMOS管NM0的栅极与NMOS管NM1的栅极连接；所述NMOS管NM1的源极与NMOS管NM2的漏极连接；所述NMOS管NM2的栅极与共源极运放A0的输入端连接；所述电流源、NMOS管NM0的源极和NMOS管NM2的源极均相连并接地。

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