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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119178761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310749998.4，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法是由石志强;舒天宇;王凯;张林;彭红宇;王旗;宋猛;李林;徐光明;宗艳民设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法，属于半导体检测技术领域。包括下述步骤：第一步：对衬底进行测试，获得衬底在不同测试点的峰位位移值和应力值，计算得到峰位位移与应力转化系数μ；第二步：使用拉曼测试仪对衬底缺陷聚集区的内部扫描测试，得到峰位值，并计算峰位位移值，根据峰位位移值和第一步中峰位位移与应力转化系数μ，计算衬底缺陷聚集区的体内应力值。本申请能够实现对衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力定量测试，可根据测试的应力信息，对晶体的生长或衬底外延层的生长中各工序参数起到反馈作用，以得到低应力的衬底或外延片。

本发明授权一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力、外延片中衬底体内应力和外延层体内应力的方法在权利要求书中公布了：1.一种定量表征衬底缺陷聚集区体内应力的方法，其特征在于，包括下述步骤： 第一步：对衬底进行测试，获得衬底在不同测试点的实际峰位值及应力值，计算实际峰值与标准衬底峰位的差值，即得不同测试点的峰位位移值，根据所述峰位位移值和应力值，计算得到峰位位移与应力转化系数μ； 第二步：使用拉曼测试仪对衬底缺陷聚集区的内部扫描测试，所述衬底的直径为150mm以上，所述缺陷聚集区内的缺陷包括微管、位错、多型、碳包裹体中的至少一种，所述内部为自衬底的表面向内延伸至30%-60%衬底厚度的区域，得到峰位值，并计算峰位位移值，根据峰位位移值和第一步中峰位位移与应力转化系数μ，计算衬底缺陷聚集区的体内应力值； 所述峰位位移与应力转化系数μ的计算步骤为： 首先，通过测试仪器测试衬底中的晶面间距dx，晶面间距dx和理论晶面间距d0作差得到不同测试点处晶面间距差△d，采用胡克定律σS=E×△dd0或应力应变公式σ=E×△d，获得衬底在不同测试点的应力值； 之后，使用拉曼测试仪对衬底进行扫描测试，得到不同测试点的实际峰位值，计算实际峰值与标准峰位的差值，即得不同测试点的峰位位移值，峰位位移值与应力值的比值即为峰位位移与应力转化系数μ。

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