上海交通大学黄振获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利提升超导恒流开关电阻的超导带材结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119207887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410484787.7，技术领域涉及：H01B12/06；该发明授权提升超导恒流开关电阻的超导带材结构及制作方法是由黄振设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升超导恒流开关电阻的超导带材结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提升超导恒流开关电阻的超导带材结构及制作方法，包括导电层、超导层、缓冲层以及基底层，所述基底层、缓冲层以及超导层三者依次堆叠设置；所述超导层背离缓冲层的面沿带材的走向包括至少两块呈间隔设置的导电层，超导层上设置有用于将两个导电层连通的超导通路。通过在两个导电层之间的超导层上设置超导通路，使电流只能通过超导通路从其一导电层流向另一导电层，从而能够利用超导层在非超导态时会呈现较大的电阻的特性，使整个超导恒流开关会呈现较大的电阻，结构小，切换快。可以通过减少超导通路的导通截面积、增大超导通路的路径长度进一步增大超导恒流开关打开时的电阻。
本发明授权提升超导恒流开关电阻的超导带材结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提升超导恒流开关电阻的超导带材结构，其特征在于，包括导电层6、超导层3、缓冲层2以及基底层1，所述基底层1、缓冲层2以及超导层3三者依次堆叠设置； 所述超导层3背离缓冲层2的面沿带材的走向包括至少两块呈间隔设置的导电层6，所述超导层3上设置有用于将两个导电层6连通的超导通路8； 所述超导通路8在超导层3进行减材形成，和或，在超导层3进行物理隔离形成，电流沿带材走向传输，且电流自其一所述导电层6沿超导通路8的走向流入另一导电层6； 通过减少超导通路的导通截面积、增大超导通路的路径长度进一步增大超导恒流开关打开时的电阻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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