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龙图腾网获悉南方电网科学研究院有限责任公司;湖南大学;中国南方电网有限责任公司申请的专利一种SiC MOSFET驱动电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119210416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431895.4，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种SiC MOSFET驱动电路及其控制方法是由吴越;周月宾;袁智勇;李桥;张笑康;袁超设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET驱动电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOSFET驱动电路及其控制方法，包括有源电流源驱动电路、SiCMOSFET、负载电流检测电路、漏源极间电压过冲检测电路、模数转换模块和FPGA模块，FPGA模块内置自适应调整算法。负载电流检测电路和漏源极间电压过冲检测电路对实时性要求较低，避免了使用高速模拟器件，降低了硬件设计成本，自适应调整算法可以根据负载电流检测电路和漏源极间电压过冲检测电路的输出，对SiCMOSFET栅极驱动参数进行实时调整，从而自适应权衡过冲和开关损耗，保证SiCMOSFET安全运行。解决了有源栅极驱动的SiCMOSFET驱动电路硬件成本高和难以权衡电压电流过冲和开关损耗的技术问题。

本发明授权一种SiC MOSFET驱动电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET驱动电路，其特征在于，包括有源电流源驱动电路、SiCMOSFET、负载电流检测电路、漏源极间电压过冲检测电路、模数转换模块和FPGA模块； 所述有源电流源驱动电路的输出与所述SiCMOSFET的栅极连接； 所述负载电流检测电路与所述SiCMOSFET连接，用于检测流过所述SiCMOSFET的漏源电流，输出与所述SiCMOSFET的漏源电流对应的电压信号； 所述漏源极间电压过冲检测电路与所述SiCMOSFET连接，用于检测所述SiCMOSFET的漏源过冲电压； 所述模数转换模块的输入端分别与所述负载电流检测电路和所述漏源极间电压过冲检测电路的输出端连接，所述模数转换模块的输出端与所述FPGA模块的输入端连接； 所述FPGA模块内置PWM单元和数字控制器，所述PWM单元的输出端与所述有源电流源驱动电路的PWM信号输入端连接，所述PWM单元用于生成控制所述有源电流源驱动电路开通或关断的PWM信号和根据所述PWM信号生成控制所述漏源极间电压过冲检测电路复位的复位信号，所述数字控制器内置自适应调整算法，所述自适应调整算法用于根据所述负载电流检测电路和所述漏源极间电压过冲检测电路的输出，控制所述有源电流源驱动电路输出给所述SiCMOSFET的栅极电流大小； 所述有源电流源驱动电路包括电压源、PNP三极管、NPN三极管、可调导通电阻和可调关断电阻； 所述PNP三极管的发射极和所述NPN三极管的发射极并联，所述PNP三极管的集电极和所述NPN三极管的集电极并联； 所述电压源的正极与所述PNP三极管和所述NPN三极管的发射极连接端连接，所述电压源的负极与所述SiCMOSFET的开尔文源极连接； 所述PNP三极管和所述NPN三极管的集电极连接端与所述SiCMOSFET的栅极连接； 所述PNP三极管的基极与所述可调导通电阻的一端连接，所述NPN三极管的基极与所述可调关断电阻的一端连接，所述可调导通电阻的另一端和所述可调关断电阻的另一端连接并共同连接至所述SiCMOSFET的开尔文源极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方电网科学研究院有限责任公司;湖南大学;中国南方电网有限责任公司，其通讯地址为：510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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