福建省晋华集成电路有限公司陈孝炳获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器件及半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411317001.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件及半导体存储装置是由陈孝炳设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及半导体存储装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体存储器件及半导体存储装置，涉及半导体技术领域。该半导体存储器件包括基底、电容结构、半导体导电层、盖层和多个空隙；电容结构设置在基底上；电容结构包含多个电容；半导体导电层包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖在该电容结构上并直接接触该电容结构；第二部分填充在相邻的电容之间；盖层位于上第一部分上并与第一部分直接接触；盖层朝向半导体导电层的表面具有起伏的表面轮廓，表面轮廓具有波峰和波谷，第一部分延伸至波谷中；至少一空隙位于波谷中的第一部分内。本申请能够降低甚至避免半导体导电层与盖层之间发生分层，提高了半导体存储器件的性能。
本发明授权半导体存储器件及半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括： 基底； 电容结构，所述电容结构设置在所述基底上；所述电容结构包含多个电容； 半导体导电层，所述半导体导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖在该电容结构上并直接接触该电容结构；所述第二部分填充在相邻的所述电容之间； 盖层，所述盖层位于所述第一部分上并与所述第一部分直接接触；其中，所述盖层朝向所述半导体导电层的表面具有起伏的表面轮廓，所述表面轮廓具有波峰和波谷，所述第一部分延伸至所述波谷中；所述盖层的材质与所述半导体导电层的材质不同； 多个空隙，多个所述空隙间隔设置在所述第一部分内，且至少一所述空隙位于所述波谷中的所述第一部分内。
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