武汉颐光科技有限公司田帅飞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉颐光科技有限公司申请的专利膜厚测量方法、膜厚测量系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119230431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411346918.1,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权膜厚测量方法、膜厚测量系统是由田帅飞;陶泽;杨康设计研发完成,并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本膜厚测量方法、膜厚测量系统在说明书摘要公布了:本公开是关于一种膜厚测量方法、膜厚测量系统。该方法包括:基于白光干涉膜厚测量装置对待测膜层结构进行测量,获得干涉光信号的初始测量数据;建立伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光强关系;建立伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光程差关系;将初始测量数据中的第一个干涉峰确定为第一界面的第一目标干涉峰,第二个干涉峰确第二界面的第二目标干涉峰;自上而下逐层获取非顶层界面与其之上的界面之间的伪峰的理论峰值光强及理论位置,并相继去除非顶层界面与其之上的界面之间的伪峰;确定待测膜层结构中每两个相邻界面之间的膜层厚度。通过本公开,可以消除初始测量数据中的伪峰,准确获得待测膜层结构中各个膜层的膜层厚度。
本发明授权膜厚测量方法、膜厚测量系统在权利要求书中公布了:1.一种膜厚测量方法,其特征在于,所述方法包括: 基于白光干涉膜厚测量装置对待测膜层结构进行测量,获得干涉光信号的初始测量数据;其中,所述待测膜层结构包括多个界面,所述初始测量数据包括每个界面的一次反射光束产生的相应目标干涉峰,以及不同界面间多次反射光束产生的伪峰; 建立伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光强关系,以计算所述伪峰的理论峰值光强; 建立伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光程差关系,以计算所述伪峰的理论位置; 将所述初始测量数据中的第一个干涉峰确定为所述多个界面中的第一界面对应的第一目标干涉峰,将所述初始测量数据中的第二个干涉峰确定为所述多个界面中的第二界面对应的第二目标干涉峰;自上而下逐层获取非顶层界面与其之上的界面之间的伪峰的理论峰值光强及理论位置,并相继去除所述非顶层界面与其之上的界面之间的伪峰,以获得所述干涉光信号的目标测量数据; 基于所述目标测量数据,确定所述待测膜层结构中每两个相邻界面之间的膜层厚度; 其中,所述伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光强关系,通过以下公式确定: 其中,下标xyj表示界面x与界面y之间j次反射光束产生的伪峰,Ixyj表示伪峰xyj的峰值光强,Iy表示界面y对应的目标干涉峰的峰值光强,tn表示界面n的透射率,表示tn的j次方,ry表示界面y的反射率,表示ry的j-1次方,rx表示界面x的反射率,表示rx的j-1次方,yx≥1,j1; 所述建立伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光程差关系,以计算所述伪峰的理论位置,包括: 通过以下公式获取所述伪峰与相应界面的目标干涉峰之间的光程差关系: Lxyj=jLxy 其中,下标xyj表示界面x与界面y之间j次反射光束产生的伪峰,Lxyj表示界面x对应的目标干涉峰和伪峰xyj之间的光程差,Lxy表示界面x对应的目标干涉峰与界面y对应的目标干涉峰之间的光程差,yx≥1,j1; 基于光程差Lxyj确定伪峰xyj的理论位置。
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