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龙图腾网获悉孔确(成都)科技有限公司申请的专利一种芯片装置的制备方法及成膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119259135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411450518.5，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种芯片装置的制备方法及成膜方法是由杨秉达;何亮;杨桃蓉;杨泽明设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片装置的制备方法及成膜方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片技术领域，具体涉及一种芯片装置的制备方法及成膜方法。所述制备方法包括：提供一种基底层，所述基底层具有一表面，且所述表面上形成有多个微孔结构，所述微孔结构包括：第二层微孔、第一层微孔；向微孔结构内加入第一电解液，所述第一电解液填充所述第一层微孔；向微孔结构内加入膜溶液，所述膜溶液聚合并填充在所述第一电解液与所述第一层微孔之间的间隙；向微孔结构内加入粘性保护液，所述粘性保护液填充所述第二层微孔，最终所述粘性保护液、所述膜溶液和所述第一电解液在所述微孔结构内形成稳定的夹心层结构。所述第一电解液、膜溶液和粘性保护液的量均通过离心来精准控制，从而保证最终所成膜的一致性。

本发明授权一种芯片装置的制备方法及成膜方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片装置的制备方法，其特征在于，所述芯片装置包括：基底层，对应地，所述制备方法包括： S1，提供一种基底层，所述基底层具有一表面，且所述表面上形成有多个微孔结构，对应地所述微孔结构包括：沿远离所述表面的方向向内凹陷以依次形成的第二层微孔22、第一层微孔21，且所述第二层微孔22的直径大于所述第一层微孔21的直径，以使得所述第二层微孔22邻近所述第一层微孔21处形成有台阶，所述台阶用于支撑膜溶液； S2，向所述微孔结构内加入第一电解液，采用第一转速进行第一次离心，以去除多余的所述第一电解液，并使得剩余的所述第一电解液填充所述第一层微孔21；在离心作用下，多处所述第一电解液的高度相同；所述第一电解液为凝胶电解液； S3，向所述微孔结构内加入所述膜溶液，以使得所述膜溶液填充所述第一层微孔21或者所述膜溶液漫过所述第一层微孔21，采用第二转速进行第二次离心，随后所述膜溶液聚合并填充在所述第一电解液与所述第一层微孔21之间的间隙，并部分地覆盖所述台阶；在离心作用下，多处所述膜溶液的含量相同； S4，向所述微孔结构内加入粘性保护液，采用第三转速进行第三次离心，以使得所述粘性保护液填充所述第二层微孔22，最终所述粘性保护液、所述膜溶液和所述第一电解液在所述微孔结构内形成稳定的夹心层结构；所述第一电解液在所述第一层微孔内呈现凸起的形态，所述凸起的最高处与所述第一层微孔的第一端在同一水平面上；或者，所述第一层微孔21的结构厚度为60-150μm，直径为70-120μm；所述第二层微孔22的结构厚度为20-50μm，直径为90-150μm；在所述夹心层结构中，所述膜溶液覆盖所述台阶的第一部分具有第一液面，所述膜溶液填充所述间隙的第二部分具有第二液面，所述第一液面和所述第二液面与所述粘性保护液相接触，以使得所述第一液面与所述第二液面形成角度范围为98°-130°的夹角α。

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