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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种电光调制器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411551588.X，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种电光调制器件的制备方法是由刘敬伟;李超设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电光调制器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电光调制器件的制备方法。电光调制器件的制备方法包括：在电光材料薄膜晶圆的电光材料薄膜一侧形成图形化阻挡层，使用砂轮沿着开口区域对图形化阻挡层暴露出的多列电光材料薄膜进行研磨，直至暴露出掩埋层，形成两侧具有坡面结构的条形凹槽；从去除图形化阻挡层后的结构中切取若干电光材料薄膜单元；电光材料薄膜单元包括电光材料薄膜被相邻两条条形凹槽所限定的部分；将电光材料薄膜单元键合至键合介质层背向波导芯的一侧表面；其中，电光材料薄膜单元与波导芯相对应；坡面结构位于波导芯长度方向的两侧。本发明提供的电光调制器件的制备方法可以简化工艺流程、降低工艺难度、提高工艺效率，有效降低电光调制器件的光场过渡损耗。

本发明授权一种电光调制器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电光调制器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供电光材料薄膜晶圆，所述电光材料薄膜晶圆依次包括层叠的第一衬底、掩埋层和电光材料薄膜； 在所述电光材料薄膜背向所述掩埋层的一侧形成阻挡层，刻蚀所述阻挡层形成图形化阻挡层，所述图形化阻挡层的开口区域暴露出多列所述电光材料薄膜； 使用砂轮沿着所述开口区域对暴露出的多列所述电光材料薄膜进行研磨，直至暴露出所述掩埋层，形成两侧具有坡面结构的条形凹槽；所述条形凹槽在深度方向上贯穿所述电光材料薄膜并深入所述掩埋层； 去除所述图形化阻挡层； 从去除所述图形化阻挡层后的结构中切取若干电光材料薄膜单元；所述电光材料薄膜单元包括所述电光材料薄膜被相邻两条条形凹槽所限定的部分； 提供第二衬底，在所述第二衬底一侧表面依次形成下包层、波导芯和键合介质层，所述键合介质层包覆所述波导芯背向所述第二衬底的一侧表面和所述波导芯的侧面； 将所述电光材料薄膜单元键合至所述键合介质层背向所述波导芯的一侧表面；其中，所述电光材料薄膜单元与所述波导芯相对应；所述坡面结构位于所述波导芯长度方向的两侧； 在所述电光材料薄膜单元背向所述键合介质层的一侧表面形成电极，所述电极位于所述波导芯两侧对应的位置。

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