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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411403665.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法是由江希;潘超凡;袁嵩;严兆恒;赵云宣;弓小武设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成反向二极管的GaNHEMT器件及其制备方法，GaNHEMT器件包括：二维电子气结构、源极、漏极、P‑GaN栅极、钝化层、源极场板结构、肖特基接触金属、欧姆接触金属和P‑GaN层；肖特基接触金属与其周围结构构成肖特基二极管，P‑GaN层与其周围结构构成P‑i‑N二极管。本发明集成了并联的肖特基二极管和P‑i‑N二极管，为GaNHEMT器件的反向电流提供了新路径。在反向导通时，既能利用肖特基二极管的低反向导通电压，又能发挥P‑i‑N二极管强大的过流能力；并利用源极场板结构搭建反向导通回路，借助势垒层形成反向导通部分；使得反向导通部分与正向导通时共用漏区，减少了面积。

本发明授权一种集成反向二极管的GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成反向二极管的GaNHEMT器件，其特征在于，包括： 二维电子气结构1、源极2、漏极3、P-GaN栅极4、钝化层5、源极场板结构6、肖特基接触金属7、欧姆接触金属8和P-GaN层9；其中， 所述源极2和漏极3分别设置于二维电子气结构1中势垒层105的两侧； 所述P-GaN栅极4设置于所述二维电子气结构1的上表面靠近所述源极2的部分区域； 所述肖特基接触金属7和所述P-GaN层9设置于所述二维电子气结构1的上表面所述漏极3和P-GaN栅极4之间的部分区域；所述肖特基接触金属7和所述P-GaN层9在GaNHEMT器件的横向方向上交错排列；所述肖特基接触金属7与其周围部分结构构成肖特基二极管，所述P-GaN层9与其周围部分结构构成P-i-N二极管； 所述欧姆接触金属8设置于所述P-GaN层9的上表面； 所述钝化层5设置于所述二维电子气结构1的上表面的剩余区域和所述P-GaN栅极4的上表面； 所述源极场板结构6设置于所述钝化层5的上表面部分区域、所述钝化层5的侧面区域；所述钝化层5的上表面部分区域包括：所述钝化层5的上表面中所述源极2与肖特基接触金属7之间的区域以及所述漏极3与肖特基接触金属7之间靠近所述肖特基接触金属7的部分区域。

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