南方科技大学陈鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种底电极-绝缘层-顶电极结构及其制备方法和微电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411185821.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种底电极-绝缘层-顶电极结构及其制备方法和微电子器件是由陈鹏设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种底电极-绝缘层-顶电极结构及其制备方法和微电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子器件领域，尤其涉及一种底电极‑绝缘层‑顶电极结构及其制备方法和微电子器件。所述制备方法包括：提供衬底，在衬底表面上形成底电极；在底电极上形成绝缘层，绝缘层的材料为金属氧化物；在绝缘层上依次形成缓冲层和顶电极，缓冲层的材料为硒材料或碲材料；通过退火工艺去除缓冲层，使得绝缘层与顶电极之间无损接触，得到底电极‑绝缘层‑顶电极结构。本发明方法通过在绝缘层和顶电极之间引入缓冲层，实现了绝缘层与顶电极之间的无损伤和无应力接触，减少了顶电极直接沉积过程中在绝缘层中引入的局部应力与损伤，提高了器件的良率，减小了器件的波动性；并且还能实现大规模的器件集成。
本发明授权一种底电极-绝缘层-顶电极结构及其制备方法和微电子器件在权利要求书中公布了：1.一种底电极-绝缘层-顶电极结构的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供衬底，在衬底表面上形成底电极； 在所述底电极上形成绝缘层，所述绝缘层的材料包括金属氧化物； 在所述绝缘层上依次形成缓冲层和顶电极，所述缓冲层的材料为硒材料或碲材料； 通过退火工艺去除所述缓冲层，使得所述绝缘层与所述顶电极之间无损接触，得到所述底电极-绝缘层-顶电极结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励