深圳市昇维旭技术有限公司苏茂华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410778002.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏茂华设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括第一材料层和第二材料层；利用第一刻蚀气体对堆叠结构进行蚀刻，以形成贯穿第二材料层的第一开口，第一刻蚀气体包括氟离子；在第一开口内同时通入第一保护气体和第一辅助气体并进行反应，以在第一开口的侧壁上形成保护层，第一保护气体包括硅离子，第一辅助气体包括氧离子；利用第一刻蚀气体继续对堆叠结构进行蚀刻，以形成贯穿第一材料层的第二开口；在第二开口内同时通入第一保护气体和第一辅助气体并进行反应，以在第二开口的侧壁上形成保护层。该形成方法通过在开口侧壁上形成保护层，可提高开口侧壁的准直度和完整度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向上堆叠的至少一个第一材料层和至少一个第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的材料不同； 利用第一刻蚀气体对所述堆叠结构进行蚀刻，以形成贯穿所述第二材料层的第一开口，其中，所述第一刻蚀气体包括氟离子； 在所述第一开口内同时通入第一保护气体和第一辅助气体并进行反应，以在所述第一开口的侧壁上形成保护层，其中，所述第一保护气体包括硅离子，所述第一辅助气体包括氧离子； 利用所述第一刻蚀气体继续对所述堆叠结构进行蚀刻，以形成贯穿所述第一材料层的第二开口，所述第二开口与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重合； 在所述第二开口内同时通入所述第一保护气体和所述第一辅助气体并进行反应，以在所述第二开口的侧壁上形成所述保护层。
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