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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411395396.4，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路是由侯斌;杨凌;常青原;马晓华;朱宥军;武玫;芦浩;张濛;郝跃设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路，二极管包括：由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层；异质超结结构层内沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P‑BN环区域和NGaN环区域；P‑BN环区域内及异质超结结构层侧面为掺杂Mg的P型BN材料；异质超结结构层表面设置有阳极；N+GaN导通层表面设置有环绕异质超结结构层且具有间距的阴极。单片集成全桥整流电路包括两个交流电输入端、四个二极管组成的整流电路、两个滤波电容和一个滤波电阻组成的滤波电路及两个输出端，二极管为准垂直超结二极管。本发明能提升二极管耐压、电路集成度，拓宽电压应用窗口，增强功率处理能力，提升转化效率。

本发明授权准垂直超结二极管及单片集成全桥整流电路在权利要求书中公布了：1.一种单片集成全桥整流电路，其特征在于，包括： 第一交流电输入端、第二交流电输入端、正极性端正向二极管、正极性端反向二极管、负极性端正向二极管、负极性端反向二极管、第一滤波电容、滤波电阻、第二滤波电容、第一输出端和第二输出端；其中， 所述第一交流电输入端与所述正极性端正向二极管的阳极、所述正极性端反向二极管的阴极连接； 所述第二交流电输入端与所述负极性端正向二极管的阳极、所述负极性端反向二极管的阴极连接； 所述正极性端正向二极管的阴极与所述负极性端正向二极管的阴极、所述第一滤波电容的第一端、所述滤波电阻的第一端连接； 所述滤波电阻的第二端与所述第二滤波电容的第一端、所述第一输出端连接； 所述正极性端反向二极管的阳极与所述负极性端反向二极管的阳极、所述第一滤波电容的第二端、所述第二滤波电容的第二端、所述第二输出端连接； 其中，所述正极性端正向二极管、所述正极性端反向二极管、所述负极性端正向二极管和所述负极性端反向二极管构成整流电路，各二极管均采用准垂直超结二极管实现；所述第一滤波电容、所述滤波电阻和所述第二滤波电容构成RC滤波电路； 其中，所述准垂直超结二极管，包括： 由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、异质超结结构层；所述异质超结结构层内，沿纵向以同心环分布方式间隔设置有P-BN环区域和NGaN环区域；所述P-BN环区域内以及所述异质超结结构层的侧面均为掺杂Mg的P型BN材料；所述异质超结结构层的表面上设置有阳极；所述N+GaN导通层的表面上设置有环绕所述异质超结结构层且具有间距的阴极。

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