嘉善复旦研究院;复旦大学朱小娜获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉善复旦研究院;复旦大学申请的专利一种异质沟道环栅器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411732499.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种异质沟道环栅器件及制备方法是由朱小娜;朱驰昂;俞少峰设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质沟道环栅器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质沟道环栅器件及制备方法，包括：相邻设置的NMOS器件和PMOS器件，所述NMOS器件和所述PMOS器件分别设有围合在各自沟道侧面上的栅极结构，所述NMOS器件的沟道材料与所述PMOS器件的沟道材料不同，所述NMOS器件的栅极结构中的功函数层组成及材料与所述PMOS器件的栅极结构中的功函数层组成及材料相同。本发明通过使NMOS和PMOS具有异质沟道，有利于实现PMOS载流子迁移率的提升，进而提高器件的开态电流，并有利于通过异质沟道的组合，实现对NMOS和PMOS采用同一套功函数栅极材料，从而简化了环栅器件的栅极堆垛工艺。
本发明授权一种异质沟道环栅器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质沟道环栅器件，其特征在于，包括：水平相邻设于衬底的一侧上的NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件包括沿远离所述衬底方向依次平行排列的多个第一沟道，每个所述第一沟道的侧面上都依次围合有第一功函数层和第一栅极金属层；所述PMOS器件包括沿远离所述衬底方向依次平行排列的多个第二沟道，每个所述第二沟道的侧面上都依次围合有第二功函数层和第二栅极金属层；所述第一栅极金属层还填充在任意两个相邻的所述第一沟道之间，所述第二栅极金属层还填充在任意两个相邻的所述第二沟道之间，且所述第一栅极金属层与所述第二栅极金属层还填充在所述第一沟道和所述第二沟道之间以紧密相连；所述第一沟道与所述第二沟道的材料不同，所述第一功函数层组成及材料与所述第二功函数层组成及材料相同。
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