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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411531398.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构是由宓珉瀚;杜翔;王鹏飞;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构，该器件结构包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源电极、漏电极以及栅电极；衬底层、成核层、缓冲层、沟道层以及势垒层自下而上依次层叠设置，形成外延基片；外延基片中形成有源极有源区和漏极有源区；源电极和漏电极对应设置在源极有源区一侧和漏极有源区一侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间；源极有源区和漏极有源区在栅电极两侧呈非对称分布。该方案只需在常规器件标准工艺的基础上更改欧姆和有源区隔离两步光刻的掩模版，无需引入额外的工序，在未增加工艺复杂度和制备成本的情况下改善了器件线性度，实现了成品率、稳定的器件性能和高线性之间的兼容。

本发明授权基于有源区驱动力再分配的器件、制备方法及版图结构在权利要求书中公布了：1.一种基于有源区驱动力再分配的器件，其特征在于，所述器件包括：衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源电极、漏电极以及栅电极； 所述衬底层、所述成核层、所述缓冲层、所述沟道层以及所述势垒层自下而上依次层叠设置，形成外延基片； 所述外延基片中形成有源极有源区和漏极有源区； 所述源电极和所述漏电极对应设置在所述源极有源区一侧和所述漏极有源区一侧；所述栅电极设置在所述源电极和所述漏电极之间； 其中，所述源极有源区和所述漏极有源区在所述栅电极两侧呈非对称分布，形成非对称有源区，从而实现对器件源极有源区和漏极有源区驱动能力的再分配； 其中，所述源极有源区为矩形结构，所述漏极有源区在宽度方向呈两端凹陷中间突出的鼓包状结构，以增大所述源极有源区的长度与所述漏极有源区的长度之间的差距； 或者，所述源极有源区为矩形结构，所述漏极有源区在宽度方向呈两端突出中间凹陷的碗状结构，以增大所述源极有源区的长度与所述漏极有源区的长度之间的差距； 或者，所述源极有源区为矩形结构，所述漏极有源区在宽度方向呈梳状结构，所述漏电极呈阵列状结构，且相邻阵列之间未被阻断，以使所述源极有源区的宽度大于所述漏极有源区的宽度，同时增大所述源极有源区的长度与所述漏极有源区的长度之间的差距。

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